扇出型半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层，并具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中并且包括连接焊盘；包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片的无效表面中的每个的至少一部分，并且具有使所述布线层的至少一部分暴露的第一开口；绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以使所述布线层的至少一部分暴露的第二开口；导电图案层，设置在所述绝缘层上；导电过孔，设置在所述第二开口中；以及连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的有效表面上，并包括一个或更多个重新分布层。所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。

Fan out semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
扇出型半导体封装件本申请要求于2018年8月7日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0091938号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如，涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
与半导体芯片相关的技术开发中的重大的近期趋势已经是减小半导体芯片的尺寸。因此，在封装
，根据对小尺寸半导体芯片等的需求的迅速增长，已经需求实现在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。提出的满足上述技术需求的一种封装技术是扇出型封装件。这种扇出型封装件具有紧凑的尺寸，并且可通过将连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部来允许实现多个引脚。此外，在近年来，已有必要在半导体封装件结构中形成背侧电路，以改善优质的智能电话产品的电特性并有效地利用空间。此外，根据对增强芯片特性和减小面积的需求，增加了对背侧电路的线路和空间的要求。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种扇出型半导体封装件结构，该扇出型半导体封装件结构能够容易地在包封剂上形成导电图案层和导电过孔而不管包封剂的材料如何，并且具有优异的导电过孔的可靠性。根据本公开的一方面，包封剂的开口填充有绝缘层，并且在包封剂的填充有绝缘层的开口中重新形成开口。在上述方法中，在包封剂上实现导电过孔的通路孔。根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：框架，包括布线层，并具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，并具有其上设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片的所述无效表面中的每个的至少一部分，并且具有暴露所述布线层的至少一部分的第一开口；绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以暴露所述布线层的至少一部分的第二开口；导电图案层，设置在所述绝缘层上；导电过孔，设置在所述第二开口中，并且将所述布线层电连接到所述导电图案层；以及连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括一个或更多个重新分布层。所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：第一连接结构，包括一个或更多个重新分布层；第二连接结构，设置在所述第一连接结构上，并具有电连接到所述一个或更多个重新分布层的电连接构件；半导体芯片，设置在所述第一连接结构上，并具有电连接到所述重新分布层的连接焊盘；包封剂，设置在所述第一连接结构上，覆盖所述第二连接结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，并具有暴露所述电连接构件的至少一部分的第一开口；以及绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以暴露所述电连接构件的至少一部分的第二开口。所述包封剂和所述绝缘层包括不同的材料。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示意性示出电子装置系统的示例的框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和封装之后的状态的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出扇入型半导体封装件安装在印刷电路板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图6是示出扇入型半导体封装件嵌入在印刷电路板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图9是示出扇出型半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是沿图9的半导体封装件的线I-I′截取的示意性平面图；图11A和图11B是示出形成用于图9的扇出型半导体封装件的导电过孔的第一开口和第二开口的工艺的示意性工艺图；图12示出了扇出型半导体封装件的另一示例；图13示出了扇出型半导体封装件的另一示例；图14示出了扇出型半导体封装件的另一示例；图15示出了扇出型半导体封装件的另一示例；以及图16示出了扇出型半导体封装件的另一示例。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式进行例证，并且不应被解释为局限于这里所阐述的特定实施例。更确切的说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并将要把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的其他元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件或层。同样的标号始终指示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。将显而易见的是，虽然可在这里使用“第一”、“第二”、“第三”等的术语来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是任何这样的构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面论述的第一构件、组件、区域、层或部分可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了易于描述，这里可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”以及“下面”等的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件相对于其他元件的关系。将理解的是，空间相关术语意图包含除了附图中所描绘的方位以外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为相对于其他元件位于“上方”或“上面”的元件于是将相对于其他元件位于“下方”或“下面”。因而，术语“上方”可根据附图的具体方向而包括“上方”和“下方”两种方位。装置可以以其他方式(旋转90度或处于其他方位)定位，并且可对这里使用的空间相关描述符做出相应解释。这里使用的术语仅用于描述具体实施例，本公开不受此限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里所使用的单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，列举存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。在下文中，将参照示出本公开的实施例的示意图描述本公开的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可估计所示出的形状的变形。因此，本公开的实施例不应解释为局限于这里所示的区域的具体形状，以包括，例如，在制造时导致的形状的改变。下面的实施例也可单独构成、组合构成或部分组合构成。下面描述的本公开的内容可具有各种构造并且在此仅提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型半导体封装件，包括：/n框架，包括布线层，并具有通孔；/n半导体芯片，设置在所述通孔中，并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；/n包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片的所述无效表面中的每个的至少一部分，并且具有使所述布线层的至少一部分暴露的第一开口；/n绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以使所述布线层的至少一部分暴露的第二开口；/n导电图案层，设置在所述绝缘层上；/n导电过孔，设置在所述第二开口中，并且将所述布线层电连接到所述导电图案层；以及/n连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括一个或更多个重新分布层，/n其中，所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。/n

【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00919381.一种扇出型半导体封装件，包括：
框架，包括布线层，并具有通孔；
半导体芯片，设置在所述通孔中，并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；
包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片的所述无效表面中的每个的至少一部分，并且具有使所述布线层的至少一部分暴露的第一开口；
绝缘层，设置在所述包封剂上，并具有形成在所述第一开口中以使所述布线层的至少一部分暴露的第二开口；
导电图案层，设置在所述绝缘层上；
导电过孔，设置在所述第二开口中，并且将所述布线层电连接到所述导电图案层；以及
连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括一个或更多个重新分布层，
其中，所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。


2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述绝缘层填充所述第一开口和所述第二开口之间的至少一部分。


3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述包封剂间隔开。


4.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述包封剂和所述绝缘层具有不同的物理性质。


5.根据权利要求4所述的扇出型半导体封装件，其中，所述包封剂包括非感光绝缘材料，并且
所述绝缘层包括感光绝缘材料。


6.根据权利要求4所述的扇出型半导体封装件，其中，所述包封剂和所述绝缘层是具有不同物理性质的非感光绝缘层。


7.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：增强层，设置在所述包封剂和所述绝缘层之间，
其中，所述第一开口穿过所述增强层，并且
所述增强层的弹性模量大于所述包封剂和所述绝缘层中的每个的弹性模量。


8.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件，其中，所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述增强层间隔开。


9.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件，其中，所述增强层包括玻璃纤维、无机填料和绝缘树脂。


10.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：树脂层，设置在所述增强层和所述绝缘层之间，
其中，所述第一开口穿过所述树脂层，并且所述增强层的弹性模量大于所述树脂层的弹性模量。


11.根据权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述树脂层间隔开。


12.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：覆盖层，设置在所述绝缘层上，并且具有使所述导电图案层的至少一部分暴露的第三开口。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴成恒，金正守，崔元，金成焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR