半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装制造技术

本申请提供了半导体器件和半导体封装。半导体器件具有半导体芯片区域和切割线区域，所述半导体芯片区域包含半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分，所述切割线区域包含连接到所述钝化膜的第一部分的所述钝化膜的第二部分、从钝化膜的第二部分的远端突出的第一绝缘膜、以及第一布线的至少一部分。第一绝缘膜的第一部分沿着钝化膜的第二部分的远端设置，第一绝缘膜的第二部分横向突出超过第一绝缘膜的第一部分，并且第一布线横向突出超出第一绝缘膜的第二部分。

Semiconductor device and semiconductor package including the semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0091643号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装。
技术介绍
半导体器件不断改进以减小其尺寸并提高其性能水平。在这方面，已经使用低介电常数绝缘膜来提供半导体器件的一种改进。半导体器件可以在晶片级制造，其中在基板上一次形成多个器件，并且随后可以切割基板以将器件彼此分离。然后可以以芯片的形式封装各个半导体器件。然而，当切割基板时，可以对半导体器件施加物理应力。当在半导体器件中使用低介电常数绝缘膜时，应力可能引起设置在低介电常数绝缘膜下面的布线可能剥离的剥离现象。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一个方面，提供了半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片区域，包括半导体芯片和钝化膜的覆盖半导体芯片的第一部分；切割线区域，包括与钝化膜的第一部分邻接的钝化膜的第二部分、第一绝缘膜的在半导体器件的平面图中观本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n半导体芯片区域，包括半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分；/n切割线区域，包括与所述钝化膜的所述第一部分邻接的所述钝化膜的第二部分、第一绝缘膜的在所述半导体器件的平面图中观察时横向突出超过所述钝化膜的所述第二部分的远端的部分、以及第一布线，/n其中，所述第一绝缘膜的所述部分包括：在所述半导体器件的平面图中观察时沿着所述钝化膜的所述第二部分的所述远端的旁边设置的第一部分、以及从所述第一绝缘膜的所述第一部分横向向外突出的第二部分，并且/n在所述半导体器件的平面图中观察时，所述第一布线从所述第一绝缘膜的所述第二部分横向向外突出。/n

【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00916431.一种半导体器件，包括：
半导体芯片区域，包括半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分；
切割线区域，包括与所述钝化膜的所述第一部分邻接的所述钝化膜的第二部分、第一绝缘膜的在所述半导体器件的平面图中观察时横向突出超过所述钝化膜的所述第二部分的远端的部分、以及第一布线，
其中，所述第一绝缘膜的所述部分包括：在所述半导体器件的平面图中观察时沿着所述钝化膜的所述第二部分的所述远端的旁边设置的第一部分、以及从所述第一绝缘膜的所述第一部分横向向外突出的第二部分，并且
在所述半导体器件的平面图中观察时，所述第一布线从所述第一绝缘膜的所述第二部分横向向外突出。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
基板，在所述半导体芯片区域和所述切割线区域中，
其中，所述第一绝缘膜具有：第一区域，所述第一区域界定暴露所述基板的第一开口；和第二区域，所述第二区域界定暴露所述第一布线的第二开口。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一区域具有从所述钝化膜的所述第二部分的所述远端到限定所述第一开口的近侧的表面测量的宽度，以及
所述第二区域具有从所述钝化膜的所述第二部分的所述远端到限定所述第二开口的近侧的表面测量的宽度，并且
所述第一区域的所述宽度小于所述第二区域的所述宽度。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线、所述第一绝缘膜和所述钝化膜顺序堆叠。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一布线的上表面位于比所述第一绝缘膜的上表面低的位置，并且
所述第一绝缘膜的所述上表面位于比所述钝化膜的上表面低的位置。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜具有第三部分，所述第三部分设置在所述半导体芯片区域中并且与所述钝化膜的所述第一部分竖直并置，并且
所述半导体芯片区域进一步包括：
再布线层，所述再布线层的至少一部分被设置在所述第一绝缘膜的所述第三部分中；和
连接端子，所述连接端子电连接到所述再布线层，所述连接端子的至少一部分被设置在所述钝化膜中。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
基板，位于所述半导体芯片区域和所述切割线区域中；和
第二绝缘膜，位于所述基板上，所述第一布线被设置在所述第二绝缘膜的上表面处，
其中，所述钝化膜被设置在所述第一绝缘膜上，
所述第一绝缘膜被设置在所述第二绝缘膜上，并且
所述第一绝缘膜具有：
第一区域，界定暴露所述基板的第一开口，和
第二区域，界定暴露所述第一布线的部分的第二开口。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜包括正硅酸乙酯。


9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一绝缘膜的所述第二部分中不存在对准键。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩承宪，赵允来，白南奎，A·N·张，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR