半导体元件接合体、半导体装置以及半导体元件接合体的制造方法制造方法及图纸

半导体元件接合体具有设置有凹部的基板、以及在配置于凹部的状态下搭载于基板的半导体元件。基板的设置有凹部的部分由Cu构成。形成于凹部的外周部的台阶的高度d为20[μm]以上且小于50[μm]。当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下。金属膜设置于半导体元件。凹部的底面与金属膜相互直接接合。

Semiconductor component connector, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor component connector

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件接合体、半导体装置以及半导体元件接合体的制造方法
本专利技术涉及电子设备等所使用的半导体元件接合体、半导体装置以及半导体元件接合体的制造方法。
技术介绍
以往，已知将包含金属粒子和有机溶剂的金属膏用作接合材料而将半导体芯片接合于基板的半导体装置的制造方法。在这样的以往的半导体装置的制造方法中，在将半导体芯片经由金属膏粘接于基板之后，使有机溶剂从金属膏挥发，使金属膏成为凝集体，在使凝集体中的金属粒子还原之后，将半导体芯片按压到基板而压碎凝集体，从而将半导体芯片接合于基板(例如参照专利文献1)。另外，以往，还已知半导体元件经由包括金属的固溶体层以及金属层的接合层接合于基板的半导体装置(例如参照专利文献2)。进而，以往，还已知半导体元件利用粘接剂接合于形成于基板的镀金层的半导体装置(例如参照专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-54358号公报专利文献2：日本特开2013-187418号公报专利文献3：日本特开2008-205265号公报
技术实现思路
但是，在专利文献1以及3所示的以往的半导体装置中，在半导体元件与基板之间存在接合材料或者粘接剂，所以接合材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件接合体，具备：安装部件，设置有凹部；以及半导体元件，在配置于所述凹部的状态下搭载于所述安装部件，所述安装部件的设置有所述凹部的部分由金属构成，形成于所述凹部的外周部的台阶的高度为20[μm]以上且小于50[μm]，当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，所述凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下，金属膜设置于所述半导体元件，所述凹部的底面与所述金属膜相互直接接合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.23 JP 2017-0574231.一种半导体元件接合体，具备：安装部件，设置有凹部；以及半导体元件，在配置于所述凹部的状态下搭载于所述安装部件，所述安装部件的设置有所述凹部的部分由金属构成，形成于所述凹部的外周部的台阶的高度为20[μm]以上且小于50[μm]，当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，所述凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下，金属膜设置于所述半导体元件，所述凹部的底面与所述金属膜相互直接接合。2.根据权利要求1所述的半导体元件接合体，其中，在构成所述金属膜的材料中包含Au、Ag、Cu、Pt以及Pd中的至少任意一种金属。3.根据权利要求1所述的半导体元件接合体，其中，在构成所述金属膜的材料中包含Au，在构成所述安装部件的设置有所述凹部的部分的金属中包含Cu，在所述凹部的底面与所述金属膜的界面存在平均空孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎浩次，加东智明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP