半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序制造方法及图纸

具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并对基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及，在第一工序之后，将基板加热至比第一温度高的第二温度，并对基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。

Manufacturing method, substrate processing device and program of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
本专利技术涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序。
技术介绍
作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时要进行基板处理工序，即，通过对于基板供给含有过氧化氢的处理气体，对在基板表面所形成的膜进行处理(例如，参见专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2014/069826号专利文献2：国际公开第2013/070343号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种技术，能够提高使用过氧化氢来进行的基板处理的品质。解决课题的方法根据本专利技术的一个实施方式，提供一种技术，其具有：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并通过对于上述基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，来对上述含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序，和在上述第一工序之后，将上述基板加热至比上述第一温度高的第二温度，并对于上述基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，来对上述含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。专利技术效果根据本专利技术，能够提高使用过氧化氢来进行的基板处理的品质。附图说明[图1]是适合于本专利技术的一个实施方式中使用的基板处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，对于所述基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对所述含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及在所述第一工序之后，将所述基板加热至比所述第一温度高的第二温度，对于所述基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对所述含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，对于所述基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对所述含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及在所述第一工序之后，将所述基板加热至比所述第一温度高的第二温度，对于所述基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对所述含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述含有硅氮烷键的膜由聚硅氮烷构成。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一工序中，将所述基板在加热至所述第一温度的状态下维持预定时间。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二工序中，将所述基板在加热至所述第二温度的状态下维持预定时间。5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，使所述第一工序的实施期间与所述第二工序的实施期间相同，或使所述第一工序的实施期间比所述第二工序的实施期间更长。6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一工序至少实施至使得过氧化氢在所述含有硅氮烷键的膜的厚度方向的全部区域中浸透至该膜中。7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，作为所述第二处理气体，使用与所述第一处理气体相比过氧化氢的浓度更高的气体。8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一工序与所述第二工序之间具有第三工序，即，不实施对于所述基板供给含有过氧化氢的气体的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第三工序中，对于所述基板供给不含过氧化氢的含氧气体。10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述第一温度设为70℃以上且小于30...

【专利技术属性】
技术研发人员：角田彻，奥野正久，山本克彦，定田拓也，堀井贞义，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP