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具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并对基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及，在第一工序之后，将基板加热至比第一温度高的第二温度，并对基板供给含有过氧化氢的第二处理气...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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