锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜制造技术

披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物。这些形成含第4族过渡金属的膜的组合物包含具有式L2‑M‑(R)C5R3‑[(ER2)2‑NR]‑的第4族过渡金属前体，其中M为以η

Zirconium precursors, Hafnium precursors, Titanium precursors and the use of them to deposit membranes containing group 4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月30日提交的美国申请号15/396,159的权益，出于所有的目的将所述申请通过引用以其全文结合在此。
披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其包含具有式L2-M-C5R4-[(ER2)2-NR]-的第4族过渡金属前体，其中M为以η5键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C1-C4烃基；相邻R可接合成烃基环；且每个L独立地为选自由以下组成的组的-1阴离子配体：NR’2、OR’、Cp、脒基(amidinate)、β-二酮(β-diketonate)或酮亚胺(keto-iminate)，其中R’为H或C1-C4烃基且相邻R’可接合以形成烃基环；其前提为该Cp上的至少一个R为C1至C4。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。
技术介绍
已知合成Cp桥连的第4族金属化合物。例如，JOkuda披露了具有经连接的胺基-环戊二烯基配体的金属有机催化剂，诸如Ti(R-Cp-SiMe2-NR-)(N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成含第4族过渡金属的膜的组合物，该组合物包含具有式L2‑M‑C5R4‑[(ER2)2‑NR]‑的第4族过渡金属前体，参考以下结构式：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.30 US 15/396,1591.一种形成含第4族过渡金属的膜的组合物，该组合物包含具有式L2-M-C5R4-[(ER2)2-NR]-的第4族过渡金属前体，参考以下结构式：其中M为以η5键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C1-C4烃基；且每个L独立地为-1阴离子配体；其前提为该Cp上的至少一个R为C1至C4。2.如权利要求1所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，每个L独立地选自由以下组成的组：NR’2、OR’、Cp、脒基、β-二酮及酮亚胺，其中R’为H或C1-C4烃基。3.如权利要求2所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，E为C。4.如权利要求1至3中任一项所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，M为Zr。5.如权利要求4所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，该第4族过渡金属前体选自由以下组成的组：(Me2N)2-Zr-(Me)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、(Me2N)2-Zr-(Et)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、(Me2N)2-Zr-(iPr)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、(Me2N)(Cp)-Zr-(Me)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、(Me2N)(Cp)-Zr-(Et)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、(Me2N)(Cp)-Zr-(iPr)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)、及其组合。6.如权利要求5所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，该第4族过渡金属前体为(Me2N)2-Zr-(Me)C5H3-(CH2-CH2-NMe-)。7.如权利要求1至3中任一项所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，M为Hf。8.如权利要求7所述的形成含第4族过渡金属的膜的组合物，其中，该第4族过渡金属前体选自由以下组成的组：(Me2N)2-H...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大铉，伽蒂诺谕子，卢源泰，尤利安·伽蒂诺，让马克·吉拉尔，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR