用于填充间隙的方法和设备技术

根据本发明专利技术，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。

Method and equipment for filling gap

According to the present invention, a method is provided for filling one or more gaps formed during manufacturing characteristics on a substrate by providing a deposition method, which includes: introducing a first reactant to the substrate at a first dose, thereby forming no more than a single layer from the first reactant; and introducing a second reactant to the substrate at a second dose. The first reactant is introduced at a sub-saturated first dose, thus reaching only the top region of the surface of the one or more gaps, and the second reactant is introduced at a saturated second dose to reach the bottom region of the surface of the one or more gaps. The third reactant can be supplied to the substrate in the reaction chamber at a third dose, and the third reactant can react with at least one of the first and second reactants.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于填充间隙的方法和设备
本专利技术公开总体上涉及用于制造电子装置的方法和设备。更具体地说，本专利技术涉及一种用于通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法和设备，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；及以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。
技术介绍
在基底间隙上制造集成电路期间，例如，可在基底上形成沟槽。根据特定应用，填充沟槽可采用多种形式。基本沟槽填充过程可能存在缺点，包括在再填充期间在沟槽中形成空隙。当在完全填充之前再填充材料在沟槽顶部附近形成收缩物时，可形成空隙。此类空隙可能损害集成电路(IC)上的装置的装置隔离以及IC的总体结构完整性。不幸的是，防止在沟槽填充期间形成空隙通常可能会对沟槽的尺寸产生约束，这可能会限制装置的装置装填密度。如果用于装置隔离的沟槽被填充，则测量装置隔离的有效性的关键参数可以是场阈值电压，即，产生连接邻近的隔离装置的寄生电流所需的电压。场阈值电压可受多种物理和材料性质的影响，例如沟槽宽度、沟槽填充材料的介电常数、基底掺杂、场植入剂量和基底偏置。可以通过减小沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，其中所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与所述第一反应物和所述第二反应物中的至少一种反应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.28 US 15/222,7381.一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，其中所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与所述第一反应物和所述第二反应物中的至少一种反应。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括在引入第一、第二和/或第三反应物的每个步骤之后从反应室中去除多余的反应物和副产物。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积方法重复多次以填充所述间隙。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物是在与所述第三反应物反应时具有相对较高生长速率的反应物。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物是在与所述第三反应物反应时具有低生长速率的反应物。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述低生长速率的反应物包括硅烷。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述低生长速率的反应物包括一组反应物中的一种或多种反应物，所述一组反应物包括二碘甲基硅烷、甲氧基(二甲基)辛基硅烷、烷基氯硅烷、烷基烷氧基硅烷和烷基氨基硅烷。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物是相对无生长的反应物，由此所述第一反应物在与所述第三反应物反应时基本上从表面中去除。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述无生长的反应物是蚀刻敏感反应物，并且所述第三反应物引起对所述第一反应物的蚀刻，使得从表面去除所述第一反应物。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一反应物包括氟，并且所述第三反应物产生等离子体，所述等离子体从所述蚀刻敏感反应物中去除氟，从而产生蚀刻掉所述第一反应物的氟等离子体。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻敏感反应物包括三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)硅烷。12.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻敏感反应物包括胺基团。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻敏感反应物包括二异丙胺基团。14.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻敏感反应物包括烷烃基团。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻敏感反应物包括辛烷。16.根据权利要求4所述的方法，其中所述相对高生长的反应物包括硅烷。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述硅烷包括硅烷二胺。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述硅烷二胺包括N,N,N',N'-四乙基硅烷二胺。19.根据权利要求17所述的方法，其中所述硅烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·珀尔，W·科内鹏，B·琼布罗德，D·皮尔勒，S·范阿尔德，S·霍卡，深泽笃毅，福田秀明，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL