在碳化硅上制造绝缘层的方法技术

提出了一种在碳化硅上制造绝缘层的方法。根据所述方法，首先，准备所述碳化硅的表面，然后在低于400℃的温度下在所述表面上形成所述绝缘层的第一部分。最终，通过在所述第一部分上沉积介电膜来形成所述绝缘层的第二部分。在形成所述绝缘层的第一部分期间和/或之后用波长低于和/或等于450nm的光照射所述碳化硅的表面。

Method of Manufacturing Insulation Layer on Silicon Carbide

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在碳化硅上制造绝缘层的方法
本专利技术涉及根据独立权利要求的在碳化硅上制造绝缘层的方法。
技术介绍
US7,880,173B2公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。它公开了在碳化硅基底上形成栅极绝缘层。它说明了通过在含有O2或H2O的气氛中，在800℃至1200℃范围内的温度下将碳化硅的表面氧化来形成栅极绝缘层，其厚度为约50纳米。可选地，它教导了使用通过使硅烷和氧气在400℃至800℃下反应而形成的低温氧化物在碳化硅基底上沉积硅氧化物。US2011/0169015A1也公开了一种半导体器件和这样的器件的制造方法。它公开了在碳化硅基底上，形成表面保护膜。它说明了通过在含有O2和H2O的气氛中，在1000℃的温度下将碳化硅的表面氧化1小时至4小时来形成表面保护膜的表面钝化层，其厚度为约10纳米。在形成表面钝化层之后，沉积含磷的硅氧化物并且进一步沉积硅氮化物以配制表面保护膜。该表面保护膜也是碳化硅上的绝缘层。US5,698,472公开了在高于900℃的温度下进行SiC表面的氧化的同时在所述氧化期间使用紫外光。紫外光的波长在115nm和180nm之间。
技术实现思路
根据独立权利要求的在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在碳化硅(SiC)上制造绝缘层的方法，包括以下步骤：‑准备所述碳化硅(SiC)的表面，‑在低于400℃的温度下在所述表面上形成所述绝缘层的第一部分(700、901、951)，‑通过在所述第一部分上沉积介电膜来形成所述绝缘层的第二部分，‑在形成所述绝缘层的第一部分(700、901、951)期间和/或之后，利用光源(LS)用波长低于和/或等于450nm的光照射所述表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.17 DE 102017200615.31.一种在碳化硅(SiC)上制造绝缘层的方法，包括以下步骤：-准备所述碳化硅(SiC)的表面，-在低于400℃的温度下在所述表面上形成所述绝缘层的第一部分(700、901、951)，-通过在所述第一部分上沉积介电膜来形成所述绝缘层的第二部分，-在形成所述绝缘层的第一部分(700、901、951)期间和/或之后，利用光源(LS)用波长低于和/或等于450nm的光照射所述表面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述波长等于和/或低于380nm。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述光源(LS)至少含有灯(La)和/或激光器(LX)和/或发光二极管和/或等离子体。4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于所述光源将光子密度高于所述表面上的碳原子密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：小松雄尔，
申请(专利权)人：ZF腓德烈斯哈芬股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE