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提出了一种在碳化硅上制造绝缘层的方法。根据所述方法，首先，准备所述碳化硅的表面，然后在低于400℃的温度下在所述表面上形成所述绝缘层的第一部分。最终，通过在所述第一部分上沉积介电膜来形成所述绝缘层的第二部分。在形成所述绝缘层的第一部分期间和...
该专利属于ZF腓德烈斯哈芬股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过ZF腓德烈斯哈芬股份公司授权不得商用。

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