晶片几何系统中的透明膜误差校正图案技术方案

一种系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以从晶片获得几何测量。所述系统还包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个晶片几何测量工具获得的所述几何测量。所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

Error correction pattern of transparent film in wafer geometry system

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片几何系统中的透明膜误差校正图案相关申请案的交叉参考本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张2017年1月9日申请的第62/443,815号美国临时申请案的权利。所述第62/443,815号美国临时申请案的全文以引用方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及检验及计量的领域，且特定来说，涉及包含透明膜的半导体装置的检验及计量的领域。
技术介绍
薄抛光板(例如硅晶片等)是现代技术的非常重要部分。例如，晶片可指用于制造集成电路及其它装置中的半导体材料的薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规等。尽管本文所描述的技术主要涉及晶片，但应了解，所述技术也适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本专利技术中可互换使用。晶片经受缺陷检验以及计量测量以确保恰当制造良率。预期用来执行此类检验及计量过程的工具是有效且高效的。从晶片获取的关键计量包含但不限于膜厚度及晶片构形。虽然基于点对点椭偏仪的技术提供亚纳米膜厚度的准确度，但如果晶片表面含有透明膜，那么基于全晶片光学干涉测量术的几何工具可能会表现不佳。例如，图案晶片几何(PWG)系统包含双侧相移斐索(Fizeau)干涉仪及错位干涉仪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片几何测量方法，其包括：利用晶片几何测量工具来获得晶片的几何测量；及应用校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.09 US 62/443,815;2017.07.13 US 15/649,2591.一种晶片几何测量方法，其包括：利用晶片几何测量工具来获得晶片的几何测量；及应用校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。2.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来获得所述校正模型。3.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于所述晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来获得所述校正模型。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。5.根据权利要求4所述的方法，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正模型包含表示真实厚度与经测量厚度之间的相关性的校正曲线。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述校正曲线支持包绕及展开。8.一种晶片几何测量方法，其包括：至少部分基于晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来生成校正模型；利用晶片几何测量工具来获得所述晶片的几何测量；及应用所述校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。9.根据权利要求8所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：海伦·刘，A·曾，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US