一种微芯片的嵌入装置及其嵌入方法,其中,微芯片的嵌入装置包括:溶液腔室,用于盛载溶液,所述溶液用于浸没基底;位于溶液腔室底部的高度调整装置,用于调整基底的运动基准面,所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角;运动控制装置,用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动,所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。利用所述微芯片的嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。
Embedded device and method of microchip
【技术实现步骤摘要】
微芯片的嵌入装置及其嵌入方法
本专利技术涉及自封装领域,尤其涉及微芯片的嵌入装置及其嵌入方法。
技术介绍
随着半导体制程越来越先进,芯片尺寸也越来越小,单张硅片的微芯片数目也越来越多,因此每张硅片封装所需要的成本和时间也在上升。如此小的微芯片在后段的封装对于微芯片的封装也提出了更高要求,流体自封装(Fluidicselfassembly,简写FSA)工艺技术正是在此环境下应允而发。流体自封装工艺技术,是将直径尺寸为800微米以下的微型芯片悬浮于溶液并通过控制溶液使得微芯片流到目标衬底上(玻璃或其他柔性衬底),并自动嵌入该衬底预先加工好的安放孔上,完成微小型芯片的自封装。然而,采用现有技术流体自封装技术,微芯片的嵌入效率较低。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是一种微芯片的嵌入装置及其嵌入方法,以提高微芯片的嵌入效率。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种微芯片的嵌入装置,包括:溶液腔室,用于盛载溶液,所述溶液用于浸没基底;位于所述溶液腔室底部的高度调整装置,用于调整基底的运动基准面,所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角;运动控制装置,用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动,所述运动包括第一运动和第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。可选的,所述溶液用于悬浮微芯片;所述基底内具有沟槽,且所述沟槽的形状与微芯片的形状互补;所述嵌入装置还包括:位于所述溶液腔室内侧壁的超声波装置,用于驱动微芯片在溶液内作旋转运动。可选的,所述超声波装置的个数为1个或者1个以上。可选的,所述嵌入装置还包括:位于所述溶液腔室内侧壁的温控装置,用于控制所述溶液的温度。可选的,所述温控装置的个数为1个或者1个以上。可选的,所述温控装置包括:温度传感器、电路控制继电器和温控设备;所述温控设备的调温范围为:0摄氏度~100摄氏度。可选的,所述夹角的范围为:0度~80度。本专利技术还提供一种微芯片的嵌入方法,包括:提供微芯片;提供基底,所述基底内具有沟槽,所述沟槽的形状与微芯片的形状互补;提供上述微芯片的嵌入装置,将所述基底浸没于溶液内;将所述微芯片投放入溶液腔室内,微芯片悬浮于溶液内;开启运动控制装置,使所述基底沿平行于运动基准面,使微芯片嵌入沟槽内。与现有技术相比,本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果:本专利技术技术方案提供的微芯片的嵌入方法中,运动控制装置用于控制所述基底沿平行于运动基准面进行运动,所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动。其中,所述第一运动的第一速率较大,有利于缩减微芯片移动至沟槽周围的时间。所述第一运动之后,进行第二运动,所述第二运动的第二速率较小,能够为微芯片提供足够的时间来调整自身的位置,使微芯片能够与沟槽进行完全匹配。利用所述嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。进一步,所述嵌入装置还包括位于所述溶液腔室内侧壁的温控装置,所述温控装置用于控制溶液的温度,使得各处溶液的温度差异性较小,因此,有利于进一步提高微芯片的嵌入效率。进一步,所述嵌入装置还包括位于所述溶液腔室内侧壁的超声波装置。一方面,所述超声膜装置能够使得沟槽的侧壁和底部完全被溶液润湿,有利于减小沟槽内因有气泡而难以被嵌入微芯片的情况。另一方面,超声波装置还能够使微芯片产生一定的摆幅振动和自转,即:有利于微芯片进一步调整自身位置,从而缩短与沟槽的匹配时间,因此,有利于进一步提高嵌入效率。附图说明图1至图3是一种微芯片嵌入方法各步骤的结构示意图;图4是本专利技术微芯片的嵌入装置的结构示意图;图5至图7是本专利技术微芯片嵌入方法各步骤的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述,微芯片的嵌入效率较低。图1至图3是一种微芯片嵌入方法各步骤的结构示意图。请参考图1,提供微芯片100。请参考图2,提供基底101,所述基底101内具有沟槽102,所述沟槽102的形状与微芯片100的形状互补。请参考图3,进行嵌入工艺,使所述微芯片100嵌入沟槽102内。上述方法中,所述嵌入工艺包括流体自封装工艺,所述流体自封装工艺在嵌入装置内完成,所述嵌入装置包括溶液腔室和运动控制装置,所述溶液腔室用于盛载溶液,所述运动控制装置用于控制基底101的运动。具体的,所述流体自封装工艺的步骤包括:将所述微芯片100悬浮于溶液内;将基底101置于嵌入装置内,且所述溶液浸没基底101;开启运动控制装置,使基底101运动,使所述微芯片100嵌入到沟槽102内。然而,基底100的运动方式较为单一,即:按照一定的速率进行匀速运动。当所述速率较大时,尽管微芯片100能够快速移动至沟槽102周围。然而,由于速率较大,使得微芯片100运动至沟槽102周围时,没有足够的时间来调整自身的位置,使微芯片100达到与沟槽102完全匹配的位置,就偏移待沟槽102,因此,微芯片100的嵌入效率较低;当所述匀速运动的速率较小时,尽管微芯片100运动至沟槽102周围,有足够的时间来调整自身位置,使其能够与沟槽102完全匹配,但是,由于速率较小,使得微芯片100移动至沟槽102周围的时间过长,因此,微芯片100的嵌入效率仍较低。为解决所述技术问题,本专利技术提供了一种微芯片的嵌入装置,包括:溶液腔室,用于盛载溶液,所述溶液用于浸没基底;位于溶液腔室底部的高度调整装置,用于调整基底的运动基准面,所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角;运动控制装置,用于控制基底沿平行于运动基准面运动,所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。利用所述嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图4是本专利技术微芯片的嵌入装置的结构示意图。请参考图4,溶液腔室200,用于盛载溶液201,所述溶液201用于浸没基底202;位于所述溶液腔室200底部的高度调整装置230,用于调整基底202的运动基准面a,所述运动基准面a与溶液腔室200底部之间具有夹角α;运动控制装置(图中未示出),用于控制所述基底202沿平行于运动基准面a运动,所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。所述溶液腔室200为流体自封装工艺提供工作环境,且所述溶液腔室200内不受外界环境的影响,因此,有利于提高微芯片嵌入情况的可控性。所述溶液201包括:去离子水、有机溶液或者无机溶液。所述基底202内具有沟槽203,所述沟槽203的形状与微芯片的形貌互补,所述沟槽203用于容纳微芯片。所述高度调整装置230用于调整基底202运动基准面a与溶液腔室200底部之间夹角α的大小。其中,所述运动基准面a为运动前所述基底202底部所在的平面。在本实施例中,所述夹角α的范围为:0度~80度。选择所述夹角α的范围的意义在于:若所述夹角α大于80度,使得微芯片沿运动基准面a运动速度过快,则微芯片没有足够的时间来调整自身的位置来与沟槽203进行匹配,就已偏移沟槽203,使得微芯片的嵌入效率仍然很低。设置所述高度调整装置230的意义在于:使得基底202运动基准面a与溶液腔室200底部之间具有夹角α,有利于加速微芯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微芯片的嵌入装置,其特征在于,包括:溶液腔室,用于盛载溶液,所述溶液用于浸没基底;位于溶液腔室底部的高度调整装置,用于调整基底的运动基准面,所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角;运动控制装置,用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动,所述运动包括第一运动以及第一运动之后的第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。
【技术特征摘要】
1.一种微芯片的嵌入装置,其特征在于,包括:溶液腔室,用于盛载溶液,所述溶液用于浸没基底;位于溶液腔室底部的高度调整装置,用于调整基底的运动基准面,所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角;运动控制装置,用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动,所述运动包括第一运动以及第一运动之后的第二运动,所述第一运动具有第一速率,所述第二运动具有第二速率,且所述第一速率大于第二速率。2.如权利要求1所述的微芯片的嵌入装置,其特征在于,所述溶液用于悬浮微芯片;所述基底内具有沟槽,且所述沟槽的形状与微芯片的形状互补;所述嵌入装置还包括:位于所述溶液腔室内侧壁的超声波装置,用于驱动所述微芯片在溶液内作旋转运动。3.如权利要求2所述的微芯片的嵌入装置,其特征在于,所述超声波装置的个数为1个或者1个以上。4.如权利要求1所述的微芯片的嵌入装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓勇,赖磊平,吴坤旭,刘茗,
申请(专利权)人:上海瑞章物联网技术有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。