半导体工艺用组合物及半导体工艺制造技术

提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1或化学式2表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。

Compositions for Semiconductor Technology and Semiconductor Technology

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺用组合物及半导体工艺
本专利技术涉及一种适用于半导体工艺的组合物和使用该组合物的半导体工艺。
技术介绍
通过各种工艺在由硅(Si)或砷化镓(GaAs)等作为基本材料制成的晶片上形成图案来制造半导体。这种半导体制造工艺分为多阶段，并且在其过程中使用各种有机物或无机物。具体地，半导体工艺包括晶片制造工艺、氧化工艺、曝光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺、研磨工艺、清洁工艺等阶段。具体地，在晶片制造工艺中，将以硅石或硅酸盐形式存在的硅加工成多晶硅，然后使用物理纯化方法加工成单晶硅。使这种单晶硅生长以制造圆柱形态的锭(ingot)，将其薄切割和研磨，以制造圆盘形态的晶片。氧化工艺是氧化晶片以在表面上形成氧化硅膜的工艺。形成在晶片表面的氧化膜在扩散工艺中用作保护膜，保护和稳定表面，并且发挥确保表面的电绝缘性的功能。曝光工艺是通过使用具有电路图案的掩模(mask)在晶片表面上形成电路图案的工艺。将光致抗蚀剂(Photoresist)薄薄地涂覆在晶片表面上形成感光膜，使用曝光设备照射光线在晶片上形成电路。感光膜还可以在蚀刻工艺、离子注入工艺等中用作保护膜。除了使用光之外，还可以使用电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的化合物或由以下化学式2表示的化合物的第二成分；[化学式1]

【技术特征摘要】
2018.03.06 KR 10-2018-00262651.一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的化合物或由以下化学式2表示的化合物的第二成分；[化学式1][化学式2]R5-Ge-R6在上述化学式1及上述化学式2中，R1乃至R6各自独立地从氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C6-C30脂肪族环基、取代或未取代的C4-C30杂脂肪族环基、取代或未取代的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的C4-C30杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化(＝O)基及以下化学式3的基中选择，[化学式3]在上述化学式3中，M是硅(Si)或锗(Ge)，A是从单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C2-C30亚烯基、取代或未取代的C2-C30亚炔基、取代或未取代的二价的C6-C30脂肪族环基、取代或未取代的二价的C4-C30杂脂肪族环基、取代或未取代的二价的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的二价的C4-C30杂芳香族环基、取代或未取代的二价的胺基、-O-、-S-、-S(＝O)2-及-C(＝O)-中选择，R7乃至R9各自独立地从氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C6-C30脂肪族环基、取代或未取代的C4-C30杂脂肪族环基、取代或未取代的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的C4-C30杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、羟基、羰基、羧基、卤素基，氧化(＝O)基中选择。2.如权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，还包含上述第一成分和上述第二成分的反应产物。3.如权利要求1所述的半导体工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳秀，晋圭安，吴濬禄，
申请(专利权)人：SKC株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR