半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，衬底绝缘层中形成有一熔丝且衬底绝缘层上形成有一焊垫，第一钝化层覆盖衬底绝缘层，且第一钝化层中具有第一开口和第二开口，第一开口贯穿第一钝化层中对准在焊垫的部分，以暴露出焊垫，第二开口贯穿第一钝化层中对准在熔丝的部分，并以靠近熔丝的方向延伸至衬底绝缘层中，并且延伸停止于熔丝的上方，以使熔丝的上方还覆盖有膜层部，第二钝化层覆盖第一开口的侧壁而暴露出焊垫，并覆盖第二开口的侧壁及衬底绝缘层，其中第二钝化层形成为第二开口的内衬表层，使第二开口内不暴露出衬底绝缘层，在熔丝处有第二钝化层予以保护，从而可以很好的缓解熔丝处遭到外部湿气侵蚀的问题，提高了半导体器件的品质。

Semiconductor Devices and Their Manufacturing Methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
在一般的晶片制造过程中，当半导体元件完成前段工艺加工之后，便会将晶片送至封装厂进行检测、封装等后段工艺。一般来说，晶片在进行封装之前，会先在衬底绝缘层中形成熔丝以及在衬底绝缘层上形成焊垫，以便于晶片的封装和修复。典型的晶片往往包括数以百万计的半导体元件，有些晶片往往包括多个相同的半导体元件，例如，存储器可能包括数以百万计相同的存储单元，而且即使只有一个存储单元含有缺陷，就可能会导致整个存储器成为有缺陷产品。为了提高良品率，可制造冗余的存储单元于相同的存储器上，如果有些主要的存储单元存在缺陷，可利用冗余的存储单元取代有缺陷的主要的存储单元。此冗余结构的设计，使得晶片可在正常状态下继续操作。通过控制晶片中的熔丝，可使冗余的存储单元取代有缺陷的主要的存储单元，从而便可实现晶片的修复。现有技术中，熔丝处往往较易于遭到外部湿气的侵蚀，从而造成整个半导体器件的品质下降，因此，需要提供一种方法改善这一问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以解决现有技术中熔丝处往往较易于遭到外部湿气的侵蚀，从而造成整个半导体器件的品质下降的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底绝缘层，所述衬底绝缘层中形成有一熔丝，所述衬底绝缘层上形成有一焊垫；形成一第一钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第一钝化层覆盖所述焊垫及所述熔丝；刻蚀所述第一钝化层对准在所述焊垫上的部分和对准在所述熔丝上的部分以分别形成一第一开口及一第二开口，所述第一开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述焊垫的部分，以暴露出所述焊垫，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，所述第二开口以靠近所述熔丝的方向延伸至所述衬底绝缘层中，并且所述第二开口延伸停止于所述熔丝的上方，以使所述熔丝的上方还覆盖有膜层部；形成一第二钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，以覆盖由所述第一开口暴露出的所述焊垫，所述第二钝化层还覆盖所述第二开口的侧壁和底壁；及去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分，以暴露出所述焊垫，其中所述第二钝化层形成为所述第二开口的内衬表层，使所述第二开口内不暴露出所述衬底绝缘层。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第二钝化层还形成为所述第一开口的内衬表层，使所述第一开口和所述第二开口内不暴露出所述第一钝化层。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分以暴露出所述焊垫的同时，去除所述第二钝化层中覆盖所述第二开口底壁的部分以暴露出覆盖所述熔丝的膜层部。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，形成所述第一开口及所述第二开口的步骤与去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分和所述第二钝化层中覆盖所述第二开口底壁的部分的步骤采用了同一片掩膜版。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第二钝化层的致密度较所述衬底绝缘层的致密度高，且所述第二钝化层的抗湿度较所述第一钝化层的抗湿度高，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm，所述第二钝化层覆盖所述第二开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第二钝化层的材料选自于氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述第一钝化层的材料选自于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述衬底绝缘层的材料选自于氧化硅。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述衬底绝缘层中形成有一缓冲层，所述缓冲层覆盖所述熔丝，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，并进一步以靠近所述熔丝的方向延伸至露出所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分，所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分构成覆盖所述熔丝的膜层部。可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述焊垫包括位于所述衬底绝缘层上的第一焊块及自所述第一焊块延伸至所述衬底绝缘层中的第二焊块，所述第一焊块的顶面覆盖有第一保护层，所述第二焊块的侧面覆盖有第二保护层；在刻蚀所述第一钝化层的步骤中，所述第一开口贯穿所述第一保护层以暴露所述第一焊块的顶面，所述第一焊块的顶面在所述第一开口之外的区域仍覆盖有所述第一保护层。本专利技术还提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：一衬底绝缘层，所述衬底绝缘层中形成有一熔丝，所述衬底绝缘层上形成有一焊垫；一第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述衬底绝缘层，所述第一钝化层中具有第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述焊垫的部分，以暴露出所述焊垫，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，并进一步以靠近所述熔丝的方向延伸至所述衬底绝缘层中，并且所述第二开口延伸停止于所述熔丝的上方，以使所述熔丝的上方还覆盖有膜层部；及一第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁并暴露出所述焊垫，所述第二钝化层还覆盖所述第二开口的侧壁及所述衬底绝缘层，其中所述第二钝化层形成为所述第二开口的内衬表层，使所述第二开口内不暴露出所述衬底绝缘层。可选的，在所述的半导体器件中，所述第二钝化层还覆盖所述第二开口的底壁，所述第二钝化层还形成为所述第一开口的内衬表层，使所述第一开口和所述第二开口内不暴露出所述第一钝化层。可选的，在所述的半导体器件中，所述第二钝化层的致密度较所述衬底绝缘层的致密度高，且所述第二钝化层的抗湿度较所述第一钝化层的抗湿度高，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm，所述第二钝化层覆盖所述第二开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm。可选的，在所述的半导体器件中，所述第二钝化层的材料选自于氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述第一钝化层的材料选自于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述衬底绝缘层的材料选自于氧化硅。可选的，在所述的半导体器件中，所述衬底绝缘层中形成有一缓冲层，所述缓冲层覆盖所述熔丝，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，并进一步以靠近所述熔丝的方向延伸至露出所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分，所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分构成覆盖所述熔丝的膜层部。可选的，在所述的半导体器件中，所述焊垫包括位于所述衬底绝缘层上的第一焊块及自所述第一焊块延伸至所述衬底绝缘层中的第二焊块，所述第一焊块在所述第一开口之外的顶面覆盖有第一保护层，所述第二焊块的侧面覆盖有第二保护层。可选的，在所述的半导体器件中，所述第一焊块对准所述第一开口的部分的顶面低于在所述第一开口之外的部分的顶面。可选的，在所述的半导体器件中，所述第二钝化层包覆所述第一保护层朝向所述第一开口的侧壁。在本专利技术提供的半导体器件及其制造方法中，衬底绝缘层中形成有一熔丝且衬底绝缘层上形成有一焊垫，第一钝化层覆盖衬底绝缘层，且第一钝化层中具有第一开口和第二开口，第一开口贯穿第一钝化层中对准在焊垫的部分，以暴露出焊垫，第二开口贯穿第一钝化层中对准在熔丝的部分，并进一步以靠近熔丝的方向延伸至衬底绝缘层中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底绝缘层，所述衬底绝缘层中形成有一熔丝，所述衬底绝缘层上形成有一焊垫；形成一第一钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第一钝化层覆盖所述焊垫及所述熔丝；刻蚀所述第一钝化层对准在所述焊垫上的部分和对准在所述熔丝上的部分以分别形成一第一开口及一第二开口，所述第一开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述焊垫的部分，以暴露出所述焊垫，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，所述第二开口以靠近所述熔丝的方向延伸至所述衬底绝缘层中，并且所述第二开口延伸停止于所述熔丝的上方，以使所述熔丝的上方还覆盖有膜层部；形成一第二钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，以覆盖由所述第一开口暴露出的所述焊垫，所述第二钝化层还覆盖所述第二开口的侧壁和底壁；及去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分，以暴露出所述焊垫，其中所述第二钝化层形成为所述第二开口的内衬表层，使所述第二开口内不暴露出所述衬底绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底绝缘层，所述衬底绝缘层中形成有一熔丝，所述衬底绝缘层上形成有一焊垫；形成一第一钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第一钝化层覆盖所述焊垫及所述熔丝；刻蚀所述第一钝化层对准在所述焊垫上的部分和对准在所述熔丝上的部分以分别形成一第一开口及一第二开口，所述第一开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述焊垫的部分，以暴露出所述焊垫，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，所述第二开口以靠近所述熔丝的方向延伸至所述衬底绝缘层中，并且所述第二开口延伸停止于所述熔丝的上方，以使所述熔丝的上方还覆盖有膜层部；形成一第二钝化层于所述衬底绝缘层上，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，以覆盖由所述第一开口暴露出的所述焊垫，所述第二钝化层还覆盖所述第二开口的侧壁和底壁；及去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分，以暴露出所述焊垫，其中所述第二钝化层形成为所述第二开口的内衬表层，使所述第二开口内不暴露出所述衬底绝缘层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层还形成为所述第一开口的内衬表层，使所述第一开口和所述第二开口内不暴露出所述第一钝化层。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分以暴露出所述焊垫的同时，去除所述第二钝化层中覆盖所述第二开口底壁的部分以暴露出覆盖所述熔丝的膜层部。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一开口及所述第二开口的步骤与去除所述第二钝化层中覆盖所述第一开口底壁的部分和所述第二钝化层中覆盖所述第二开口底壁的部分的步骤采用了同一片掩膜版。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层的致密度较所述衬底绝缘层的致密度高，且所述第二钝化层的抗湿度较所述第一钝化层的抗湿度高，所述第二钝化层覆盖所述第一开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm，所述第二钝化层覆盖所述第二开口的侧壁的部分的厚度介于100nm至1000nm。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料选自于氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述第一钝化层的材料选自于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化铝和氧化钛中的一种，所述衬底绝缘层的材料选自于氧化硅。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底绝缘层中形成有一缓冲层，所述缓冲层覆盖所述熔丝，所述第二开口贯穿所述第一钝化层中对准在所述熔丝的部分，所述第二开口以靠近所述熔丝的方向延伸至露出所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分，所述缓冲层中对准在所述熔丝的部分构成覆盖所述熔丝的膜层部。8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述焊垫包括位于所述衬底绝缘层上的第一焊块及自所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34