The utility model provides a semiconductor structure, which comprises: a substrate; a dielectric layer formed on the substrate; a groove formed in the dielectric layer; a barrier layer formed on the dielectric layer and the surface of the groove; a diffusion barrier layer formed on the barrier layer; a first tungsten seed layer formed on the diffusion barrier layer; and a second tungsten seed layer formed on the diffusion barrier layer. The first tungsten seed layer is formed on the first tungsten seed layer; the metal tungsten block is formed on the second tungsten seed layer; the first tungsten seed layer does not contain boron, and the second tungsten seed layer contains boron. The semiconductor structure of the utility model can effectively solve the problem that the tungsten film deposited by borane as a precursor in the prior art is easy to peel off in the subsequent CMP process.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体结构。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，采用化学气相沉积法沉积金属钨(CVDW)和/或原子气相沉积法沉积金属钨(ALDW)因具有良好的阶梯覆盖率，广泛应用于半导体器件制造金属互连填充层。在CVDW或ALDW工艺中用到的还原性前驱体主要是硅烷(SiH4)、硼烷(B2H6)和氢气(H2)，通常在初始成核阶段会使用SiH4或B2H6还原六氟化钨(WF6)以形成薄的钨种子层。相对于SiH4前驱体，B2H6前驱体成核形成的W晶粒尺寸更大，W薄膜的电阻率明显降低。但是，B2H6作为前驱体的缺点是形成的W薄膜黏附性差，在后续化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolish,CMP)工艺中容易造成W薄膜从基底剥离，形成缺陷，进而影响产品良率。因此，亟需一种新的半导体结构及其形成方法，以克服上述种种问题。需注意的是，前述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种半导体结构，以解决现有技术中采用硼烷(B2H6)...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；介电层，形成于所述基底上；沟槽，形成于所述介电层中；阻碍层，形成于所述介电层及所述沟槽表面；扩散阻挡层，形成于所述阻碍层上；第一钨种子层，形成于所述扩散阻挡层上；第二钨种子层，形成于所述第一钨种子层上；金属钨块材，形成于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；介电层，形成于所述基底上；沟槽，形成于所述介电层中；阻碍层，形成于所述介电层及所述沟槽表面；扩散阻挡层，形成于所述阻碍层上；第一钨种子层，形成于所述扩散阻挡层上；第二钨种子层，形成于所述第一钨种子层上；金属钨块材，形成于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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