【技术实现步骤摘要】
集成电路存储器
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种集成电路存储器。
技术介绍
现有的集成电路存储器芯片通常包括若干个存取晶体管，为了缩小集成电路存储器的面积以达到最大的集成化，通常采用沟槽型的晶体管结构，且可以在一个有源区中制作两个共用漏极的晶体管以进一步缩小面积且降低生产成本。但是这样一来，两个晶体管之间的距离非常近，其字线之间会产生较大的寄生电容，影响器件的性能和稳定性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集成电路存储器，通过减小对应同一有源区的两个字线之间的电介质的介电常数来降低这两个字线之间的寄生电容，从而改善器件的性能和稳定性。为了达到上述目的，本技术提供了一种集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出多个有源区，多条平行排布的字线，形成于所述衬底中，并且所述字线与相应的所述有源区相交并延伸至所述沟槽隔离结构中，每个所述有源区均与两条所述字线相交；多个绝缘结构，形成在所述沟槽隔离结构中，并位于对应同一有源区的两条字线之间，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电...
【技术保护点】
1.一种集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出多个有源区，多条平行排布的字线，形成于所述衬底中，并且所述字线与相应的所述有源区相交并延伸至所述沟槽隔离结构中，每个所述有源区均与两条所述字线相交；多个绝缘结构，形成在所述沟槽隔离结构中，并位于对应同一有源区的两条字线之间，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出多个有源区，多条平行排布的字线，形成于所述衬底中，并且所述字线与相应的所述有源区相交并延伸至所述沟槽隔离结构中，每个所述有源区均与两条所述字线相交；多个绝缘结构，形成在所述沟槽隔离结构中，并位于对应同一有源区的两条字线之间，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数。2.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，多个所述有源区呈阵列式排布，并且同一列中的多个所述有源区均与相同的两条字线相交，以使同一列中相邻的两个所述有源区与所述两条字线围绕出一绝缘区域在所述沟槽隔离结构中，所述绝缘结构形成在所述沟槽隔离结构的所述绝缘区域中。3.如权利要求2所述的集成电路存储器，其特征在于，所述绝缘结构包括形成于一绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：江文湧，林仕杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。