半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构，衬底上形成有通过开口隔开的若干金属线，所述金属线的上方形成有介质层，所述金属线上方的部分支撑所述介质层，以使所述介质层对应所述开口的悬空部悬空，所述介质层的所述悬空部中还形成有沟槽；遮盖层覆盖所述介质层上并遮盖所述沟槽的槽口，以封闭所述沟槽，并在相邻的所述金属线之间形成空气隙以在相邻的所述金属线之间形成空气隙，空气隙降低了相邻的所述金属线之间的寄生电容，从而降低了信号传输中的寄生效应，且由于所述空气隙是通过去除牺牲层及遮盖所述沟槽的槽口而形成的，所以在所述金属线之间开口尺寸较大的时也可以实现较大尺寸的空气隙，从而进一步降低了信号传输中的寄生效应。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
目前，半导体集成电路通常都会通过图形化的金属在其表面形成布线层，布线层是由若干用于信号传输的金属线构成的，相邻金属线之间具有间隙。随着半导体集成电路器件集成密度的快速增加，特别是在一些复杂的集成电路中，由于金属线之间存在寄生效应，会对信号传输产生延迟(τ＝RC)，导致半导体集成电路的性能降低。如何降低金属线之间寄生效应的影响成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决金属线之间因为寄生效应而导致的集成电路性能下降的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种半导体结构，包括：衬底；多条金属线，形成在所述衬底上，并且相邻的所述金属线之间通过开口隔开；介质层，形成在所述金属线的上方，所述金属线上方的部分支撑所述介质层，以使所述介质层对应所述开口的悬空部悬空，所述介质层的所述悬空部中还形成有沟槽；以及，遮盖层，覆盖所述介质层上并遮盖所述沟槽的槽口，以封闭所述沟槽，并在相邻的所述金属线之间形成空气隙。可选的，所述开口的数量为多个，且至少两个所述开口的横截面宽度不同。可选的，所述半导体结构还包括保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；多条金属线，形成在所述衬底上，并且相邻的所述金属线之间通过开口隔开；介质层，形成在所述金属线的上方，所述金属线上方的部分支撑所述介质层，以使所述介质层对应所述开口的悬空部悬空，所述介质层的所述悬空部中还形成有沟槽；以及，遮盖层，覆盖所述介质层上并遮盖所述沟槽的槽口，以封闭所述沟槽，并在相邻的所述金属线之间形成空气隙。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；多条金属线，形成在所述衬底上，并且相邻的所述金属线之间通过开口隔开；介质层，形成在所述金属线的上方，所述金属线上方的部分支撑所述介质层，以使所述介质层对应所述开口的悬空部悬空，所述介质层的所述悬空部中还形成有沟槽；以及，遮盖层，覆盖所述介质层上并遮盖所述沟槽的槽口，以封闭所述沟槽，并在相邻的所述金属线之间形成空气隙。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口的数量为多个，且至少两个所述开口的横截面宽度不同。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：周步康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34