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本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构，包括：基底；介电层，形成于所述基底上；沟槽，形成于所述介电层中；阻碍层，形成于所述介电层及所述沟槽表面；扩散阻挡层，形成于所述阻碍层上；第一钨种子层，形成于所述扩散阻挡层上；第二钨种子层，形成于所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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