半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

Semiconductor Structure and Its Formation Method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体结构制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体结构集成度的提高，器件随之不断小型化，半导体结构特征尺寸不断缩小。为了满半导体结构特征尺寸不断缩小的要求，形成的图形层的特征尺寸随之不断减小，且为了满足工艺需要，图形层的高度通常不会随之减小，因此，需要形成的图形层的高宽比逐渐增大。然而，现有形成高宽比较大的图形层容易发生剥离问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以避免图形层发生剥离。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。可选的，所述突出层的高度为：10nm～30nm。可选的，所述突出层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。可选的，所述图形层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。可选的，所述基底包括：衬底和位于衬底表面的保护层。可选的，所述突出层的材料和保护层的材料相同；所述突出层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于突出层的高度。可选的，所述图形层的材料和保护层的材料相同；所述图形层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于图形层的高度。可选的，所述突出层的形成方法包括：采用第一工艺，在所述基底表面形成突出材料层；在所述突出材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述突出材料层，直至暴露出基底表面，形成所述突出层；去除所述第一掩膜层；所述第一工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者旋涂工艺。可选的，所述图形层的形成方法包括：采用第二工艺，在所述基底表面形成覆盖突出层顶部和侧壁表面的图形材料层；在所述图形材料层表面形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述图形材料层，直至暴露出基底表面，形成所述图形层；形成所述图形层之后，去除所述第二掩膜层；去除所述第二掩膜层的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者旋涂工艺。可选的，当所述图形层和突出层的材料相同时，所述第一工艺和第二工艺不相同。可选的，所述图形层的材料为：光阻材料；形成所述图形层的工艺包括：旋涂工艺；所述图形层的形成方法包括：在所述保护层表面形成覆盖突出层顶部和侧壁表面的图形材料层；对所述图形材料层进行曝光显影，直至暴露出保护层表面，形成所述图形层，所述图形层覆盖突出层的顶部和侧壁表面。可选的，形成所述图形层之后，还包括：以所述图形层为掩膜，对所述基底进行处理；所述处理之后，去除所述图形层和突出层。可选的，对所述基底进行处理的方式包括：离子注入工艺或者刻蚀工艺。相应的，本专利技术还提供一种采用上述任一项方法形成的半导体结构。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的半导体结构的形成方法中，在所述基底表面形成若干相互分立的突出层；在各个所述突出层侧壁和顶部表面形成图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。由于所述图形层位于突出层的侧壁和顶部表面，即所述突出层位于图形层的内部，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力，所述突出层能够额外增加所述图形层和基底表面的附着力，使得所述突出层对所述图形层发生偏移具有阻挡作用，从而所述图形层不容易从基底表面产生裂缝发生剥离，使得形成的半导体结构的性能较好。进一步，所述突出层的高度为：10纳米～30纳米，形成所述高度较小的突出层所需的工艺时间和成本都较低，则所述方法能够防止图形层从基底表面剥离开来的同时，能够使制备时间和制备成本较低。附图说明图1是一种半导体结构的结构示意图；图2至图9是本专利技术一实施例的半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有形成的半导体结构的性能较差。图1是一种半导体结构的结构示意图。请参考图1，所述半导体结构包括：基底100，位于基底100表面的若干相互分立的图形层110。随着半导体技术的不断进步，为了满足半导体结构特征尺寸不断缩小的要求，所述图形层110沿若干图形层110排列方向上的尺寸越来越小，所述图形层110底部与基底100表面的附着力随着图形层110的尺寸越来越小，同时，随着图形层110沿若干图形层110排列方向上的尺寸减小，所述图形层110的高宽比越来越大，越来越大的高宽比会加剧图形层110和基底100界面处产生裂缝，因此，使得所述图形层110容易从基底100表面剥离开来，降低形成的半导体结构的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。所述方法形成的半导体结构的性能较好。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2至图9是本专利技术一实施例的半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图。请参考图2，提供基底200。在本实施例中，所述基底200的材料为单晶硅。所述基底还可以是多晶硅或非晶硅。所述基底的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。所述基底还能够是绝缘体上半导体结构，所述绝缘体上半导体结构包括绝缘体及位于绝缘体上的半导体材料层，所述半导体材料层的材料包括硅、锗、硅锗、砷化镓或铟镓砷等半导体材料。在本实施例中，所述基底200包括：衬底210和位于衬底210表面的保护层211。所述保护层211的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。所述保护层211用于保护基底200，使得所述基底200表面不受后续工艺的影响。在本实施例中，所述保护层211的材料为氧化硅；所述保护层211的形成工艺包括：热氧化工艺。在所述基底200表面形成突出层，请结合图3至图4，对所述突出层的形成过程进行详细说明。请参考图3，采用第一工艺，在所述基底200表面形成突出材料层221。所述突出材料层221用于后续形成突出层。在本实施例中，在所述保护层211表面形成突出材料层221。所述突出材料层221的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。相应的，后续形成的突出层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。在本实施例中，所述突出材料层221的材料为：氮化硅，相应的，后续形成的突出层的材料为氮化硅。形成所述突出材料层221的第一工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者旋涂工艺。在本实施例中，所述第一工艺为：化学气相沉积工艺，所述化学气相沉积工艺形成的突出材料层221和基底200表面的附着力较大。在本实施例中，所述突出材料层221的材料和保护层211的材料不相同，且后续刻蚀去除突出层时，对保护层211的刻蚀损伤较小，从而有利于所述保护层211对衬底201表面起到保护作用。在其他实施例中，所述突出材料层的材料和保护层的材料相同，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的高度为：10nm～30nm。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。4.如权利要求1或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底和位于衬底表面的保护层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的材料和保护层的材料相同；所述突出层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于突出层的高度。7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料和保护层的材料相同；所述图形层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于图形层的高度。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的形成方法包括：采用第一工艺，在所述基底表面形成突出材料层；在所述突出材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述突出材料层，直至暴露出基底表面，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永璨，内藤逹也，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32