【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体结构制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体结构集成度的提高，器件随之不断小型化，半导体结构特征尺寸不断缩小。为了满半导体结构特征尺寸不断缩小的要求，形成的图形层的特征尺寸随之不断减小，且为了满足工艺需要，图形层的高度通常不会随之减小，因此，需要形成的图形层的高宽比逐渐增大。然而，现有形成高宽比较大的图形层容易发生剥离问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以避免图形层发生剥离。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。可选的，所述突出层的高度为：10nm～30nm。可选的，所述突出层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。可选的，所述图形层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。可选的，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的高度为：10nm～30nm。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。4.如权利要求1或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅或者光阻材料。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底和位于衬底表面的保护层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的材料和保护层的材料相同；所述突出层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于突出层的高度。7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料和保护层的材料相同；所述图形层的材料和保护层的材料相同时，所述保护层的高度大于图形层的高度。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突出层的形成方法包括：采用第一工艺，在所述基底表面形成突出材料层；在所述突出材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述突出材料层，直至暴露出基底表面，形...
【专利技术属性】
技术研发人员：林永璨，内藤逹也，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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