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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:21836366
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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供基底;在所述基底表面形成突出层;在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层,且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。所述方法形成的半导体结构的性...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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