用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法及相关半导体结构技术

公开了一种用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法。所述方法可以包括：在所述衬底的表面上方沉积第一IVA族半导体层；使所述第一IVA族半导体层的暴露表面与包括第一氯化物气体的第一气体接触；以及在所述第一IVA族半导体层的表面上方沉积第二IVA族半导体层。还公开了相关半导体结构。

Method for Depositing Semiconductor Structures on Substrate Surface and Related Semiconductor Structures

【技术实现步骤摘要】
用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法及相关半导体结构
本公开大体上涉及用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法，且具体地，涉及用于沉积包括具有薄界面层的IVA族半导体层的半导体结构的方法。本公开还大体上涉及半导体结构，且具体地，涉及包括具有薄界面层的相邻IVA族半导体层的半导体结构。
技术介绍
如互补金属氧化物半导体(CMOS)装置等半导体装置结构的微缩化已带来集成电路速度和密度的显著改善。然而，常规的装置微缩化面临着未来技术节点的巨大挑战。随着半导体装置继续微缩并且半导体装置层变得越来越薄，界面层(也称为设置在两个相邻半导体层之间的界面区域)在半导体装置制造/集成以及在半导体装置性能方面可能变得越来越重要。例如，包括纳米线结构的下一代半导体装置的关键特征是不同组成的相邻半导体层之间的界面的组成突变。因此，需要用于控制设置在具有不同组成的两个半导体层之间的界面层的方法以及包括具有期望特性的界面层的半导体结构。
技术实现思路
根据本公开的至少一个实施例，公开了一种用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法。所述方法可以包括：在衬底的表面上方沉积第一IVA族半导体层；使第一IVA族半导体层的暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上方沉积第一IVA族半导体层；使所述第一IVA族半导体层的暴露表面与包括第一氯化物气体的第一气体接触；以及在所述第一IVA族半导体层的表面上方沉积第二IVA族半导体层。

【技术特征摘要】
2018.02.01 US 15/886,2251.一种用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上方沉积第一IVA族半导体层；使所述第一IVA族半导体层的暴露表面与包括第一氯化物气体的第一气体接触；以及在所述第一IVA族半导体层的表面上方沉积第二IVA族半导体层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一气体另外包括第一IVA族气体。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述表面包括硅表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一IVA族半导体层包括硅锗(Si1-xGex)层。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述硅锗(Si1-xGex)层具有等于或大于0.30的锗组成(x)。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一氯化物气体包括盐酸(HCl)或氯气(Cl2)中的至少一种。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一IVA族气体包括二氯硅烷(DCS)、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、六氯硅烷、硅烷或锗烷中的至少一种。8.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一氯化物气体相对于所述第一IVA族气体的流动速率比小于2:1。9.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一IVA族半导体层的暴露表面与所述第一气体接触另外包括：使所述暴露表面接触达小于60秒的时间段。10.根据权利要求1所述的方法，其另外包括使所述第二IVA族半导体层的暴露表面与包括第二氯化物气体的第二气体接触。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二气体另外包括第二IVA族气体。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二IVA族半导体层包括硅(Si)层。13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一IVA族半导体层的表面上方沉积所述第二IVA族半导体层，由此形成设置在所述第二IVA族半导体层与所述第一IVA族半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·科恩，N·巴尔加瓦，J·托勒，V·迪考斯塔，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL