一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。本发明专利技术用于晶圆高温激活退火表面保护碳膜的去除，具有退膜时间短、可操作性强的优点，能够根本上解决因高温退火带来的表面硅析出与粗糙度增加问题，碳膜去除干净，无污染；以碳化硅为例，去除碳膜的同时将SiC材料表面浅层去除有利于解决Al离子注入后SiC材料表面并非Al离子浓度最高处导致器件欧姆接触并非最优化的问题，有效降低欧姆接触的导通电阻，优化产品性能。

A Removal Method of Carbon Film for Wafer Surface Protection

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法
本专利技术属于半导体材料
，具体涉及一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法。
技术介绍
碳化硅基器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、耐高温、耐辐射性等优点，在功率电子领域、高频高速领域具有广泛的用途与前景。目前碳化硅SBD、JBS、MOSFET等器件已经能够批量生产及应用。其中离子注入形成碳化硅欧姆接触区与JBS的P区时，注入离子的激活效率是决定器件性能的关键因素。为了激活注入掺杂以及消除离子注入造成的晶格损伤缺陷，需要对SiC片在高温下进行激活退火，一般温度会高达1600℃～1800℃。但是，在如此高的激活退火温度下，碳化硅表面Si容易从SiC表面升华，并以Si、Si2C、SiC2等形式重新沉积在晶片表面，形成台阶簇，导致SiC片表面粗糙度增加，界面态密度增加，严重影响器件性能。目前在高温退火时常用的方法是碳膜保护法，其制作方法一般为溅射一种碳膜保护层或者通过光刻胶在烘烤固化形成碳膜保护层。在高温退火完成后，用于保护碳化硅表面这层碳膜就需要去除，如果碳膜去除不干净则会影响欧姆接触，严重影响器件的开关特性、导电特性、耐压特性等性能。严重情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。2.根据权利要求1所述的用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，所述衬底在高温激活退火前，经过高温离子注入且晶圆表层的离子浓度不是峰值。3.根据权利要求1所述的用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用化学机械抛光工艺去除了碳膜以及晶圆表面厚度不超过100nm的浅表层。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：史文华，程海英，钮应喜，赵海明，史田超，钟敏，刘锦锦，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34