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本发明公开了一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。本发明用于晶圆高温激活退火表面保护碳膜的去除，具有退膜时间短、可操作性强的优点，能够根本上解决因高...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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