组合处理腔室和处置腔室制造技术

本发明专利技术涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

Combined treatment chamber and disposal chamber

【技术实现步骤摘要】
组合处理腔室和处置腔室本申请是申请日为2014年3月6日、申请号为201480018007.4、名称为“用于卤化物驱气的处理系统及方法”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2014/021246)的分案申请。根据35U.S.C§119的优先权要求本申请主张2014年2月24日提交的第14/188,344号美国临时专利申请案的优先权，第14/188,344号美国临时专利申请主张2013年3月15日提交的第第61/789,259号美国临时专利申请案的权益，该等申请案出于所有目的以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术技术是关于半导体系统、工艺及设备。更特定言之，本专利技术技术是关于减少膜污染物及提高装置品质的系统及方法。
技术介绍
通过工艺使集成电路成为可能，该工艺于基板表面上生产出错综复杂的图案化材料层。于基板上生产图案化材料要求受控方法以移除暴露材料。化学蚀刻用于多种用途，包括将光阻剂中的图案转移进入底层、使层变薄或减小表面上既有特征的侧向尺寸。通常期望有一蚀刻工艺，该蚀刻工艺蚀刻一种材料的速度快于另一材料，促进例如一种图案转移工艺。据称此类蚀刻工艺对第一材料具有选择性。由于材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合处理腔室，所述腔室包括：下部腔室外壳，其中所述下部腔室外壳包括：第一入口，所述第一入口在所述下部腔室外壳的第一侧上，以及第二入口，所述第二入口在与所述下部腔室外壳的第一侧相对的所述下部腔室外壳的第二侧上；以及上部腔室外壳，所述上部腔室外壳与所述下部腔室外壳耦接，其中所述上部腔室外壳包括：第三入口，所述第三入口在所述上部腔室外壳的第一侧上，所述上部腔室外壳的第一侧与所述下部腔室外壳的第一侧一致，以及上部处理区域，所述上部处理区域至少部分地由安置于所述上部腔室外壳之内的面板从上界定。

【技术特征摘要】
2013.03.15 US 61/789,259;2014.02.24 US 14/188,3441.一种组合处理腔室，所述腔室包括：下部腔室外壳，其中所述下部腔室外壳包括：第一入口，所述第一入口在所述下部腔室外壳的第一侧上，以及第二入口，所述第二入口在与所述下部腔室外壳的第一侧相对的所述下部腔室外壳的第二侧上；以及上部腔室外壳，所述上部腔室外壳与所述下部腔室外壳耦接，其中所述上部腔室外壳包括：第三入口，所述第三入口在所述上部腔室外壳的第一侧上，所述上部腔室外壳的第一侧与所述下部腔室外壳的第一侧一致，以及上部处理区域，所述上部处理区域至少部分地由安置于所述上部腔室外壳之内的面板从上界定。2.如权利要求1所述的组合处理腔室，其中所述下部腔室外壳界定下部基板区域。3.如权利要求2所述的组合处理腔室，其中所述下部基板区域包括加热器，所述加热器被配置成将所述下部基板区域加热高达约300℃。4.如权利要求2所述的组合处理腔室，其中所述下部基板区域被配置成从大气压力抽空至低于大气压力的第二压力。5.如权利要求2所述的组合处理腔室，其中所述下部腔室外壳被配置成在结构上支援压力循环每10分钟从大气压力降至小于或约5毫托并回升。6.如权利要求1所述的组合处理腔室，其中所述上部处理腔室包括温度控制装置，所述温度控制装置被配置成将安置在所述温度控制装置上的基板的温度维持在约0℃与约600℃之间。7.如权利要求6所述的组合处理腔室，其中所述温度控制装置包括加热板，所述加热板安置在所述上部腔室外壳之内以从下至少部分地界定所述上部处理区域。8.如权利要求1所述的组合处理腔室，进一步包括基板支撑装置，所述基板支撑装置被配置成沿着边缘区域支撑基板并在所述上部处理区域内悬挂所述基板。9.如权利要求1所述的组合处理腔室，进一步包括远端等离子体单元，所述远端等离子体单元与所述上部腔室外壳的上部耦接。10.如权利要求9所述的组合处理腔室，进一步包括上部分布区域，所述上部分布区域至少部分地界定在所述上部腔室外壳的所述上部与所述面板之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王安川，X·陈，Z·李，H·哈玛纳，Z·陈，CM·徐，J·黄，N·K·英格尔，D·卢博米尔斯基，S·文卡特拉马，R·撒库尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US