本实用新型专利技术揭示了一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置，清洁装置设有风罩，所述风罩的底板上固定有电机，所述电机的输出轴连接风罩内的刀座，所述刀座上固定有刀片，所述风罩上设有抽尘孔，所述抽尘孔与软管一端连接，所述软管的另一端连接吸尘设备。本实用新型专利技术采用半自动化代替手动清洁，节省操作人员体力，提高工作效率，并且能够减少手动清洁时产生的大量颗粒物，进而降低因颗粒物掉落至衬底表面而引起的外延层缺陷。引起的外延层缺陷。引起的外延层缺陷。
【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置
[0001]本技术涉及MOCVD设备清洁
技术介绍
[0002]MOCVD(金属有机化学气象沉积)设备是目前外延生长第三代半导体外延片以及发光二极管(LED)的主要设备之一。外延设备反应室主要分为水平式反应腔(反应源通过喷淋口水平喷出)和垂直式反应腔(反应源通过喷淋口垂直喷出)两种类型。
[0003]针对于垂直式反应腔，外延生长后特别是对于含高Al组分外延生长时，在反应室喷淋口处存在大量附着物。该附着物主要是氮化铝(Al N)，氮化镓铝(Al GaN)，氮化镓(GaN)等产物。该附着物容易堵塞反应室喷淋口，导致生产的外延片均匀性变差，缺陷变多，良率变低，增大了外延成本。
[0004]因此每次外延生长结束后要进行附着物的清洁，使得喷淋口处干净，畅通且无堵塞现象。现在所使用清洁外延设备反应室喷淋头的方法主要是一只手持刮刀，另外一只手持吸尘器进行清洁工作，但是该附着物硬度高，附着较为致密，难以清洁，上述手动清洁方式不但笨拙，而且在清洁过程中铲下的附着物会扬起大量的颗粒物，无法被吸尘器完全吸入，导致外延设备手套箱内的颗粒度变大，并且在外延生长时因大量的颗粒掉落物使得外延片缺陷增多，同时这种清洁方法对操作人员的体力消耗也非常大。
技术实现思路
[0005]本技术所要解决的技术问题是实现一种方便、干净并且更加自动化的去解决反应室喷淋口处附着物的清洁装置。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置，清洁装置设有风罩，所述风罩的底板上固定有电机，所述电机的输出轴连接风罩内的刀座，所述刀座上固定有刀片，所述风罩上设有抽尘孔，所述抽尘孔与软管一端连接，所述软管的另一端连接吸尘设备。
[0007]所述风罩有底板和围板构成一端开口的桶状结构。
[0008]所述刀座位于风罩开口端设有刀头固定位，且刀头固定位顺着电机旋转方向含有一定的倾斜角。
[0009]所述刀片为凸出刀座的条状结构，所述刀片的刀刃截面成三角形。
[0010]所述风罩的外表面连接有把手。
[0011]本技术采用半自动化代替手动清洁，节省操作人员体力，提高工作效率，并且能够减少手动清洁时产生的大量颗粒物，进而降低因颗粒物掉落至衬底表面而引起的外延层缺陷。
附图说明
[0012]下面对本技术说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0013]图1为MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置结构示意图；
[0014]上述图中的标记均为：1、电机；2、风罩；3、刀座；4、刀片；5、把手；6、软管；7、吸尘设备。
具体实施方式
[0015]下面对照附图，通过对实施例的描述，本技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0016]MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置包括风罩2、电机1、刀座3、刀片4、把手5、软管6、吸尘设备7。风罩2包括底板和围板，围板围绕底板设置，构成一个一端开口的桶状结构，底板上固定有电机1，电机1通过螺栓固定在底板上，电机1的电源端通过电源线连接电源器，电机1的输出轴向风罩2内延伸，输出轴通过连接件与风罩2内的刀座3固接，则电机1能够驱动刀座3旋转，利用刀座3表面的刀片4快速清洁喷淋口。
[0017]刀片4为高强度钢刀片4，其整体为凸出刀座3的条状结构，刀刃的截面呈三角形，刀片4一般设置三个，等夹角固定在刀座3上，刀座3位于风罩2开口端设有刀头固定位，刀片4通过沉头螺钉固定于刀座3上。
[0018]风罩2上设有抽尘孔，可以设置在底板上，也可以设置在围板上，抽尘孔与软管6一端连接，软管6的另一端连接吸尘设备7，为方便拿着风罩2进行清洁操作，风罩2的外表面连接有把手5。将组装好的该装置与机台连接好电源。操作人员打开电源，刮刀电机1与吸尘设备7启动。操作人员用手握住风罩2的把手5，将旋转的刀片4慢慢靠近反应室的喷淋口处进行附着物的清洁，通过刀片4的高速旋转进而刮下喷淋口处的附着物，刮下后的颗粒灰尘等被吸尘设备7通过风罩2抽走。然后不断移动位置，直至整个反应室喷淋口的附着物全部清洁干净。
[0019]上面结合附图对本专利技术进行了示例性描述，显然本技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本专利技术的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本专利技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置，其特征在于：清洁装置设有风罩，所述风罩的底板上固定有电机，所述电机的输出轴连接风罩内的刀座，所述刀座上固定有刀片，所述风罩上设有抽尘孔，所述抽尘孔与软管一端连接，所述软管的另一端连接吸尘设备。2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于：所述风罩由底板和围板构成一端开口的桶状结构。...
【专利技术属性】
技术研发人员：仇成功，赵海明，胡新星，左万胜，刘敏，唐建平，王丽多，袁松，钮应喜，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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