半导体的制造方法技术

本发明专利技术的半导体制造方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层；在所述介电层中内连线一导电金属并延伸到所述介电层上形成一金属层；以及使用气体源包括浓度为75‑80％的氢气和20‑25％的氩气进行退火处理。该方法可减少漏电流路径的产生，从而提高半导体元件的效能。

Manufacturing Method of Semiconductor

【技术实现步骤摘要】
半导体的制造方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体的制造方法。
技术介绍
等离子体的使用广泛体现在半导体工艺中，如薄膜沉积、蚀刻、离子注入等。然而，由于工艺环境的影响，等离子体却会使得电荷沿着金属移动，发生所谓的天线效应(antennaeffect)，影响元件的效能。也就是说，工艺中所使用的等离子体会使介电层表面上聚集电荷，且聚集在介电层表面上的电荷会沿着金属内连线而移动至硅基底中，使部分电荷附着在硅基底，从而造成漏电流路径的产生。因此，如何有效解决已知工艺中使用等离子体所衍生出大量电流泄漏的问题，制造出高成品率且高可靠度的半导体元件，以确保元件品质及效能是业界亟欲解决的课题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体的制造方法，其可减少漏电流路径的产生，从而提高半导体元件的效能。为实现上述目的，半导体的制造方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一介电层；在所述介电层中内连线一导电金属并延伸到所述介电层上形成一金属层；以及使用气体源包括浓度为75-80％的氢气和20-25％的氩气进行退火处理。与现有技术相比，本专利技术使用高浓度的氢气进行退火，氢气在高温的环境下可对导电金属的延伸部分(即介电层上的金属层)进行修补，使其稳定。具体地，氢气的分子小且具有极佳的扩散性，从而在高温环境下氢气可扩散至层叠的结构中甚至到达基底的内部，从而移除因使用等离子体进行沉积介电层或蚀刻金属层所累积在基底表面的杂质和电荷。而且，使用高浓度的氢气进行退火处理可以利用氢气修补材料内的悬挂键而使其形成稳定的键结，从而减少漏电流路径的产生，进而提升元件效能。较佳地，退火处理温度为450-470℃。较佳地，退火处理时间为40-50分钟。较佳地，所述介电层的材料为氮化硅(SiN)或碳氮化硅(SiCN)。较佳地，所述导电金属通过金属镶嵌法形成在所述介电层中。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术的半导体制造方法作进一步说明，但不因此限制本专利技术。本专利技术的半导体的制造方法的一个实施例包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一介电层；在介电层中内连线一导电金属并延伸到介电层上形成一金属层；以及使用气体源包括浓度为75-80％的氢气和20-25％的氩气进行退火处理。具体地，该基底为硅基底，通过传统的等离子体沉积方法在该基底上形成介电层，较佳地，介电层的材料为氮化硅(SiN)或碳氮化硅(SiCN)。继而在介电层中内连线形成导电金属，例如是铜，并且该导电金属延伸到介电层上形成金属焊垫。较佳地，在介电层内连线形成导电金属的方法为金属镶嵌法。接着，将半导体进行退火处理。其中，退火所使用的气体源包括浓度为75-80％的氢气和20-25％的氩气，退火处理温度为450-470℃，退火处理时间为40-50分钟。退火处理后，半导体的制作工艺完成。使用高浓度的氢气进行退火，氢气在高温的环境下可对导电金属的延伸部分(即介电层上的金属层)进行修补，使其稳定。具体地，氢气的分子小且具有极佳的扩散性，从而在高温环境下氢气可扩散至层叠的结构中甚至到达基底的内部，从而移除因使用等离子体进行沉积介电层或蚀刻金属层所累积在基底表面的杂质和电荷。而且，使用高浓度的氢气进行退火处理可以利用氢气修补材料内的悬挂键而使其形成稳定的键结，从而减少漏电流路径的产生，进而提升元件效能。以上所揭露的仅为本专利技术的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一介电层；在所述介电层中内连线一导电金属并延伸到所述介电层上形成一金属层；以及使用气体源包括浓度为75‑80％的氢气和20‑25％的氩气进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上形成一介电层；在所述介电层中内连线一导电金属并延伸到所述介电层上形成一金属层；以及使用气体源包括浓度为75-80％的氢气和20-25％的氩气进行退火处理。2.如权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于：退火处理温度为450...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44