【技术实现步骤摘要】
一种不影响肖特基势垒质量的正面金属返工工艺
本专利技术涉及半导体制造工艺中的湿法腐蚀工艺，尤其涉及一种正面金属返工工艺。
技术介绍
在二极管芯片加工过程中，势垒形成后，通常于芯片正面使用Mark50蒸发台蒸镀3层或5层金属，具体表现为Ti/Ni/Ag、Ti/Ni/Al、Ti/Al/Ti/Ni/Ag。在蒸镀过程中如蒸发台故障，将无法继续蒸镀，需终止蒸镀并开腔处理蒸发台；然而，此时由于产品刚刚蒸镀了一半，开腔处理会导致金属黏附性差，易出现正面掉金属现象，或金属Ni氧化；从而使得操作人员需对芯片正面进行返工处理，将表面的金属腐蚀掉。传统工艺中针对三种不同的蒸镀金属的返工工艺通常如表1所示：表1其中，PBE腐蚀液中的HF在腐蚀Ti时，腐蚀速率较快；若腐蚀时间短，则Ti腐蚀不净，表面有色差，重新蒸发后影响产品外观；若腐蚀时间长，则影响产品良率。使得操作人员在利用PBE腐蚀液腐蚀Ti时，腐蚀时间极难控制。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提出了一种稳定、高效且不影响产品良率，可有效解决传统工艺中PBE腐蚀液腐蚀Ti时的腐蚀时间极难控制的不影响肖特基势垒质量的正面金属返工工艺...
【技术保护点】
1.一种不影响肖特基势垒质量的正面金属返工工艺，其特征在于，芯片正面生长有金属层A、金属层B或金属层C；所述金属层A由内到外依次为Ti、Ni、Ag；所述金属层B由内到外依次为Ti、Al、Ti、Ni、Ag；所述金属层C由内到外依次为Ti、Ni、Al，所述返工工艺中通过清洗药液腐蚀贴合于芯片正面的Ti，所述清洗药液包括硫酸和双氧水，所述硫酸和双氧水的体积比为4:1。
【技术特征摘要】
1.一种不影响肖特基势垒质量的正面金属返工工艺，其特征在于，芯片正面生长有金属层A、金属层B或金属层C；所述金属层A由内到外依次为Ti、Ni、Ag；所述金属层B由内到外依次为Ti、Al、Ti、Ni、Ag；所述金属层C由内到外依次为Ti、Ni、Al，所述返工工艺中通过清洗药液腐蚀贴合于芯片正面的Ti，所述清洗药液包括硫酸和双氧水，所述硫酸和双氧水的体积比为4:1。2.根据权利要求1所述的一种不影响肖特基势垒质量的正面金属返工工艺，其特征在于，芯片正面生长有金属层A，所述返工工艺按以下步骤进行操作：A1)、通过NiAg腐蚀液腐蚀从外到内依次腐蚀Ag和Ni；A2)、通过清洗药液腐蚀Ti；A3)、通过BOE清洗液对芯片正面进行清洗；A4)、待蒸发台故障排除后，将芯片送入蒸发台中，重新进行正面金属蒸镀；完毕。3.根据权利要求1所述的一种不影响肖...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐红梅，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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