半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区；在所述衬底上形成功能层；在所述器件区功能层上形成多个分立的初始核心层，相邻初始核心层之间具有第一间隙；在所述初始核心层侧壁表面形成侧墙；形成所述侧墙之后，去除所述第一间隙底部的功能层，在功能层内形成第一开口；形成所述侧墙之后，对所述初始核心层进行图形化处理，去除部分初始核心层，形成核心层以及位于侧墙之间的第二间隙；去除所述第二间隙底部暴露出的功能层，在所述功能层中形成第二开口。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着高密度、高集成度的方向发展。为了缩小半导体器件的尺寸，提高半导体器件的集成度，现有技术发展了多重图形化工艺，包括双重图形化工艺、三重图形化工艺及四重图形化工艺。双重图形化工艺能够有效的降低制作小尺寸图形的难度，在形成小尺寸图形中具有重要应用。双重图形化工艺包括自对准型双重曝光(SADP)技术、多重曝光多重刻蚀技术(LELELE)技术和单刻蚀双重图形化技术。然而，现有技术中通过双重图形化工艺形成的半导体结构的性能较差或者对设计有很多限制条件。比如在多重曝光多重刻蚀技术(LELELE)中，多次图形的对准非常难以控制。而自对准型双重曝光(SADP)技术，两种图形之间的间距或者图形本身由隔墙的厚度决定。单一的图形线宽或者间距会限制其应用的范围。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够改善所形成半导体结构的性能。为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区；在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区；在所述衬底上形成功能层；在所述器件区功能层上形成多个分立的初始核心层，相邻初始核心层之间具有第一间隙；在所述初始核心层侧壁表面形成侧墙；形成所述侧墙之后，去除所述第一间隙底部的功能层，在功能层内形成第一开口；形成所述侧墙之后，对所述初始核心层进行图形化处理，去除部分初始核心层，形成核心层以及位于侧墙之间的第二间隙；去除所述第二间隙底部暴露出的功能层，在所述功能层中形成第二开口。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区；在所述衬底上形成功能层；在所述器件区功能层上形成多个分立的初始核心层，相邻初始核心层之间具有第一间隙；在所述初始核心层侧壁表面形成侧墙；形成所述侧墙之后，去除所述第一间隙底部的功能层，在功能层内形成第一开口；形成所述侧墙之后，对所述初始核心层进行图形化处理，去除部分初始核心层，形成核心层以及位于侧墙之间的第二间隙；去除所述第二间隙底部暴露出的功能层，在所述功能层中形成第二开口。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口之后，形成所述第二开口；形成所述第一开口的步骤包括：以所述侧墙和初始核心层为掩膜对所述功能层进行第一刻蚀，在所述第二区功能层中形成第一开口；所述图形化处理以及形成第二开口的步骤包括：在所述第一间隙底部以及初始核心层上形成图形化的第一图形层，且所述第一图形层暴露出部分所述初始核心层；以所述第一图形层和侧墙为掩膜对所述初始核心层和功能层进行第二刻蚀，形成核心层以及位于所述功能层中的第二开口。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一图形层之前，还包括：在所述第一开口中，以及所述侧墙、初始核心层和功能层上形成第一平坦层；所述第一图形层位于所述第一平坦层上。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括保留区；所述第一刻蚀之前，所述形成方法还包括：在所述功能层上形成图形化的第二图形层，所述第二图形层覆盖所述保留区功能层；所述第一刻蚀还以所述第二图形层为掩膜；所述第一图形层还覆盖所述保留区功能层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二图形层之前，还包括：在所述功能层、侧墙和核心层上形成第二平坦层；所述第二图形层位于所述第二平坦层上。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶；所述第二图形层的材料为光刻胶。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，形成所述第一开口；所述图形化处理和形成第二开口的步骤包括：在所述第二区衬底和初始核心层上形成图形化的第一牺牲层，所述第一牺牲层暴露出部分初始核心层；以所述第一牺牲层和侧墙为掩膜，对所述初始核心层和功能层进行第三刻蚀，形成核心层以及位于所述功能层中的第二开口；形成所述第一开口的步骤包括：在所述第二开口底部以及所述功能层上形成图形化的第二牺牲层，所述第二牺牲层暴露出所述第二区功能层；以所述第二牺牲层、核心层和侧墙为掩膜对所述功能层进行第四刻蚀，在所述功能层中形成第一开口。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括保留区，所述第一图形层还覆盖所述保留区功能层；所述第二图形层还覆盖所述保留区功能层。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化处理的步骤包括：在所述初始核心层上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分初...

【专利技术属性】
技术研发人员：卑多慧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31