形成集成电路的方法技术

本文公开了具有线端延伸部的集成电路布局的各种示例。在一个示例中，一种方法包括接收集成电路布局，该集成电路布局包括：在第一方向上平行延伸的第一组形状和第二组形状，其中，第一组形状的间距不同于第二组形状的间距。横向构件形状被插入到集成电路布局中，其在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且一组线端延伸部被插入到集成电路布局中，其从第一组形状和第二组形状中的每个形状延伸至横向构件形状。提供包括第一组形状、第二组形状、横向构件形状、和一组线端延伸部的集成电路布局用于制造集成电路。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。

Method of Forming Integrated Circuits

Various examples of integrated circuit layout with line end extensions are disclosed in this paper. In one example, a method includes a receiving integrated circuit layout comprising a first set of shapes and a second set of shapes extending parallel in the first direction, where the spacing of the first group of shapes is different from that of the second group. The transverse component shape is inserted into the integrated circuit layout, which extends in the second direction perpendicular to the first direction, and a set of line end extensions are inserted into the integrated circuit layout, extending from each shape in the first group shape and the second group shape to the transverse component shape. An integrated circuit layout including a first set of shapes, a second set of shapes, a transverse component shape, and a set of line end extensions is provided for the manufacture of integrated circuits. The embodiment of this application also provides a method for forming an integrated circuit.

【技术实现步骤摘要】
形成集成电路的方法
本申请涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成集成电路的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。在IC演进的过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可产生的最小组件(或线))有所降低。该按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本而提供益处。然而，这种按比例缩小也伴随着设计和制造包含这些IC的器件的复杂性的增加。制造中的平行进步允许有精度和可靠性地制造越加复杂的设计。例如，一些进步补偿光刻极限附近发生的光效应和处理缺陷。在许多示例中，使用一组光刻掩模在半导体衬底上限定和形成IC部件。掩模具有由透射区域或反射区域形成的图案。在光刻曝光期间，诸如紫外光的辐射在撞击衬底上的光刻胶涂层之前穿过掩模或从掩模反射。掩模将图案转印至光刻胶上，然后光刻胶被选择性地去除以露出图案。然后，衬底经历利用剩余的光刻胶的形状的处理步骤以在衬底上产生电路部件。当处理步骤完成时，应用另一光刻胶并且使用下一掩模暴露衬底。通过这种方式，这些部件被分层以产生最终电路。光的性质使得在衬底上形成的图案与掩模的图案不同。诸如衍射、弥散、和干涉行为之类的光的行为导致诸如边角圆化和边缘误差的变化。同样地，诸如蚀刻缺陷和图案塌陷的处理变化可能导致进一步的变化，特别是在边角和部件边缘处。
技术实现思路
根据本申请的实施例，提供了一种形成集成电路的方法，包括：接收集成电路布局，所述集成电路布局包括：第一组形状，在第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻衬底的第一组心轴；以及第二组形状，在所述第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻所述衬底的第二组心轴，其中，所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距；在所述集成电路布局中插入横向构件形状，所述横向构件形状在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸跨越所述第一组形状和所述第二组形状；在所述集成电路布局中插入一组线端延伸部，所述一组线端延伸部从所述第一组形状和所述第二组形状的每个形状延伸至所述横向构件形状；以及提供包括所述第一组形状、所述第二组形状、所述横向构件形状、和所述一组线端延伸部的所述集成电路布局用于形成所述第一组心轴和所述第二组心轴并且用于基于所述第一组心轴和所述第二组心轴蚀刻所述衬底。根据本申请的实施例，提供了一种形成集成电路的方法，包括：接收用于制造集成电路的布局，所述布局包括：用于形成用于蚀刻衬底的多重图案化工艺的第一组心轴的第一组平行线、以及用于形成用于所述多重图案化工艺的第二组心轴的第二组平行线；在所述第一组平行线和所述第二组平行线之间将横向构件插入所述布局中；将把所述第一组平行线和所述第二组平行线的线耦合至所述横向构件的一组线端延伸部插入所述布局中；以及提供包括所述第一组平行线、所述第二组平行线、所述横向构件、和所述一组线端延伸部的所述布局用于执行所述多重图案化工艺。根据本申请的实施例，提供了一种形成集成电路的方法，包括：接收用于集成电路的制造的布局，其中，所述布局包括：第一组平行形状、第二组平行形状、以及所述第一组平行形状和所述第二组平行形状之间的间隙；在所述间隙中插入耦合至所述第一组平行形状的第一组线端延伸部；在所述间隙中插入将所述第二组平行形状耦合至所述第一组线端延伸部的第二组线端延伸部；以及提供所述布局用于所述集成电路的制造。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1A和图1B是根据本公开的各个方面的制造集成电路的方法的流程图。图2至图7是根据本公开的各个方面的用于制造经历方法的集成电路的布局的一部分的图。图8是根据本公开的各个方面的根据布局制造的光掩模的顶视图。图9A、图10A和图11A是根据本公开的各个方面的对应于布局的工件的一部分的顶视图。图9B、图10B、图11B、图13B、图14B、图15B、图16B、和图17至图22是根据本公开的各个方面的对应于布局的工件的一部分的横截面图。图12是根据本公开的各个方面的根据布局200制造的切割光掩模的顶视图。图13A、图14A、图15A、和图16A是根据本公开的各个方面的对应于布局的工件的一部分的顶视图。图13B、图14B、图15B、图16B、和图17至图22是根据本公开的各个方面的对应于布局的工件的一部分的横截面图。图23是根据本公开的各个方面的制造具有线端延伸部的集成电路的方法的流程图。图24至图28是根据本公开的各个方面的用于制造经历方法的集成电路的布局的一部分的顶视图。图29是根据本公开的各个方面的制造集成电路的包括添加填充单元的方法的流程图。图30至图32是根据本公开的各个方面的用于制造经历制造方法的集成电路的具有填充单元的布局的一部分的顶视图。图33是根据本公开的各个方面的根据具有填充单元的布局制造的工件的顶视图。图34是根据本公开的各个方面的计算系统的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本专利技术的不同特征。以下描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，以下本专利技术中一个部件形成在另一个部件上、连接和/或联接至另一部件可以包括部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括形成插入在部件之间的额外的部件，从而使得部件可以不直接接触的实施例。之上”、“在...上面”、“在...之下”、“在...下面”、“在...上方”、“在...下方”、“在...顶部”、“在...底部”等以及其衍生词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等)这样的空间关系术语，以容易地描述如本专利技术中一个部件与另一个部件的关系。空间相对术语旨在覆盖包括部件的器件的不同定位。随着部件尺寸缩小，设计形状与衬底上形成的图案之间的差异对器件性能产生更大的影响。在简单线条的示例中，在光刻期间的光学效应可能倾向于圆化线端，而不是产生清晰边角。此外，由于该部分暴露于来自多侧的蚀刻剂或其他处理反应物，所以蚀刻和其他处理步骤也可以圆化线端。当然，这些仅仅是集成电路形成中发生的部件差异的一些示例。其他厚度变化、位置变化、和不规则可以单独或组合发生。随着部件尺寸的缩小，这些变化的影响可能会加剧，因为变化保持不变或变大，并且因此缺陷相对于部件而增大。如下所述，本公开提供了用于形成具有改善的规则性，特别是在部件线的端处的部件的技术。在一些示例中，该技术修改布局的包括第一组平行线、第二组平行线、以及其间的间隙的区域。该组平行线可具有不同的宽度、间距、和/或间隔。尽管可以通过在间隙中添加牺牲线端延伸部使得圆化包含在线端延伸部内来补偿线端缺陷，但是已经确定，部件尺寸越小，线端圆化变得更加显著和更不规则。这可能使其难以在线端延伸部内包含圆化而不显著地生长延伸部和间隙。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成电路的方法，包括：接收集成电路布局，所述集成电路布局包括：第一组形状，在第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻衬底的第一组心轴；以及第二组形状，在所述第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻所述衬底的第二组心轴，其中，所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距；在所述集成电路布局中插入横向构件形状，所述横向构件形状在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸跨越所述第一组形状和所述第二组形状；在所述集成电路布局中插入一组线端延伸部，所述一组线端延伸部从所述第一组形状和所述第二组形状的每个形状延伸至所述横向构件形状；以及提供包括所述第一组形状、所述第二组形状、所述横向构件形状、和所述一组线端延伸部的所述集成电路布局用于形成所述第一组心轴和所述第二组心轴并且用于基于所述第一组心轴和所述第二组心轴蚀刻所述衬底。

【技术特征摘要】
2017.08.29 US 15/689,4721.一种形成集成电路的方法，包括：接收集成电路布局，所述集成电路布局包括：第一组形状，在第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻衬底的第一组心轴；以及第二组形状，在所述第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻所述衬底的第二组心轴，其中，所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距；在所述集成电路布局中插入横向构件形状，所述横向构件形状在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸跨越所述第一组形状和所述第二组形状；在所述集成电路布局中插入一组线端延伸部，所述一组线端延伸部从所述第一组形状和所述第二组形状的每个形状延伸至所述横向构件形状；以及提供包括所述第一组形状、所述第二组形状、所述横向构件形状、和所述一组线端延伸部的所述集成电路布局用于形成所述第一组心轴和所述第二组心轴并且用于基于所述第一组心轴和所述第二组心轴蚀刻所述衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组形状的间隔不同于所述第二组形状的间隔。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一组形状的宽度不同于所述第二组形状的宽度。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：限定一组切割形状以去除由所述横向构件和所述一组线端延伸部形成的部件。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述集成电路布局中插入位于所述第一组形状的形状之间的第一组填充形状以及所述第二组形状的形状之间的第二组填充形状，其中：所述第一组填充形状和所述第二组填充形状中的每个形状在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖显煌，谢东衡，杨宝如，张永丰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71