Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法技术

本申请涉及半导体器件技术领域，提供了一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已选区曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已选区曝光显影的无源区域下方的势垒层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。所述外延层转移方法能够减小器件的纵向尺寸，提高器件的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法。
技术介绍
现有的Ga2O3基MOSFET器件的厚度大都在十几微米以内，器件连同衬底材料的纵向尺寸基本在500微米以上，并且衬底材料一般为散热能力较差的蓝宝石或者自支撑Ga2O3材料，使得器件的散热问题非常严重，这大大限制了Ga2O3基MOSFET器件的发展。因此，有必要提供一种能够显著减小器件的纵向尺寸，并提高器件散热效率的工艺方法。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本申请提供了一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层，牺牲层制备在衬底层上方；外延层转移方法包括：根据光刻版图对外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已选区曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀已选区曝光显影的无源区域下方的势垒层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已选区曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已选区曝光显影的无源区域下方的势垒层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。

【技术特征摘要】
1.一种Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已选区曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已选区曝光显影的无源区域下方的势垒层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。2.根据权利要求1所述的Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法，其特征在于，在所述根据光刻版图对无源区域进行选区曝光显影之前，还包括：在所述衬底层上方依次制备所述牺牲层、所述缓冲层和所述势垒层；在所述势垒层上方制备源电极和漏电极；在所述源电极、所述漏电极和所述有源区势垒层上方制备所述钝化层；在所述钝化层上方制备栅电极；在所述、所述栅电极和所述栅电极区域以外的钝化层上方制备所述保护层；在所述保护层上光刻金属互联开孔区，依次刻蚀掉互联开孔区的保护层和钝化层，；以及在金属互联开孔区和未开孔刻蚀的保护层上光刻金属互联...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，张新创，杜佳乐，马佩军，朱青，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61