【技术实现步骤摘要】
晶圆表面的平坦化方法
本专利技术涉及半导体材料制造领域，尤其涉及一种晶圆表面的平坦化方法。
技术介绍
SOI是一种广泛应用的新一代硅基材料，无论在低压、低功耗电路，还是微机械传感器、光电集成等方面，都具有重要应用。对于SOI材料而言，顶层硅厚度均匀性是一个关键参数，该参数对器件性能有重要影响。在SOI工艺制程中，对顶层硅的平坦化通常采用化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)的方式来进行，随着顶层硅厚度的不断降低，对顶层硅均匀性要求的提升，CMP工艺已无法满足工艺要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种晶圆表面的平坦化方法。为了解决上述问题，提供一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域的混合气体流速小于中心区域的混合气体流速。可选的，采用如下步骤形成所述晶圆：提供第一晶圆和第二晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；注入起泡离子，以在所述第...
【技术保护点】
1.一种晶圆表面的平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域的混合气体流速小于中心区域的混合气体流速。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面的平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域的混合气体流速小于中心区域的混合气体流速。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用如下步骤形成所述晶圆：提供第一晶圆和第二晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；注入起泡离子，以在所述第一晶圆内形成剥离层；以所述氧化层为中间层，将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合，形成键合后晶圆；升温以使键合后晶圆在所述剥离层开裂，开裂后保留在...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，高楠，陈猛，苏鑫，徐洪涛，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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