元件芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种抑制等离子切割中的碎片残留的元件芯片的制造方法。在本发明专利技术的半导体芯片2的制造方法中，将半导体晶片12的背面4A保持于切割带22。接下来，将表面6A用具备非水溶性的下层掩膜24A和水溶性的上层掩膜24B的掩膜24被覆。接下来，通过对掩膜24照射激光而在掩膜24形成开口从而使分割区域16露出。接下来，使半导体晶片12与水接触，去除被覆元件区域14的上层掩膜24B并使下层掩膜24A残留。接下来，将半导体晶片12暴露于第1等离子体，将开口所露出的分割区域16进行蚀刻至到达背面4A为止，从而单片化为多个半导体芯片2。接下来，去除多个半导体芯片2的表面6A所残留的下层掩膜24A。

【技术实现步骤摘要】
元件芯片的制造方法
本专利技术涉及元件芯片的制造方法。
技术介绍
元件芯片的制造有时使用等离子蚀刻。等离子蚀刻的用途很广，例如已知其用途之一是用于将基板进行单片化的称为等离子切割的方法。在等离子切割中，对于具备由分割区域划定的多个元件区域的基板，通过从基板的一个面直至到达另一个面为止对分割区域进行等离子蚀刻，从而将基板单片化为各元件芯片。在这种等离子切割中，需要仅对分割区域进行等离子蚀刻，即需要保护元件区域免受等离子体影响。因此，在等离子蚀刻前，在基板的整个表面形成具有耐等离子体性的掩膜，其中通过残留元件区域的掩膜并去除分割区域的掩膜，而在必要的区域形成掩膜。此时，同时还进行通过激光加工等对保护膜、其下层的分割区域的一部分进行切削的图案化。由此，划定进行等离子蚀刻的区域，实施准确的等离子切割(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第8703581号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在对具有金属层的基板进行等离子切割的情况下，若在图案化中进行对保护膜和位于其下层的金属层设置沟槽的加工(激光切槽加工)，则会有因消融现象所产生的称为碎片(debris)的加工屑飞散的情况。该飞散的碎片的大部分可以通过在后续工序中进行等离子体清洗等而去除，但会有粒径大的一部分碎片未被去除而残留、使器件的可靠性和成品率降低的担心。本专利技术的课题是提供一种抑制等离子切割中的碎片残留的元件芯片的制造方法。用于解决课题的方案本专利技术提供一种元件芯片的制造方法，其包括如下：准备具备多个元件区域和划定上述元件区域的分割区域、并且具备第1面和与上述第1面相反侧的第2面的基板，将上述基板的上述第2面保持至保持片，将上述基板的上述第1面用具备非水溶性的下层和水溶性的上层的掩膜被覆，通过对上述掩膜照射激光而在上述掩膜形成开口从而使上述基板的分割区域露出，使上述基板与水或水溶液接触，去除被覆上述元件区域的上述掩膜的上述上层并使上述下层残留，将上述基板暴露于第1等离子体，将上述开口所露出的上述分割区域进行蚀刻至到达上述第2面为止从而单片化为多个元件芯片，成为上述多个元件芯片保持至上述保持片的状态，去除上述多个元件芯片的表面残留的上述掩膜，成为去除了上述掩膜的上述多个元件芯片保持至上述保持片的状态。根据该方法，由于在激光切槽加工前在基板的第1面形成水溶性的上层，因此即使在激光切槽加工中碎片飞散而附着于上层，也能够通过水洗而将碎片和上层一起去除。因此，能够抑制等离子切割中的碎片残留，因此能够在等离子切割中抑制因碎片导致的加工不良，能够提高作为制品的元件芯片的可靠性。从上述多个元件芯片的表面去除上述掩膜也可以包括通过第2等离子体进行的灰化。根据该方法，通过利用第2等离子体进行的灰化，能够容易地去除非水溶性的下层。通过上述掩膜进行的被覆也可以包括：在保持至上述保持片的上述基板的上述第1面上涂布非水溶性树脂的原料液从而形成上述下层后，涂布水溶性树脂的原料液从而形成上述上层。根据该方法，由于能够通过原料液的涂布而形成上层和下层，因此能够容易地形成上层和下层。在通过上述保持片进行保持之前，将具备基材和非水溶性的粘合层的保护带经由上述粘合层贴附于上述第1面，并且通过上述掩膜进行的被覆也可以包括：从上述基板剥离上述保护带的上述基材从而使上述粘合层残留于上述基板的上述第1面并作为上述下层，在上述下层之上形成上述上层。根据该方法，由于能够将保护带的粘合层用作下层，因此能够使掩膜形成的工序简单化。专利技术效果根据本专利技术，在元件芯片的制造方法中，由于在激光切槽加工前在基板的第1面形成水溶性的上层，因此即使在激光切槽加工中碎片飞散而附着于上层，也能够通过水洗而将碎片和上层一起去除。因此，能够抑制等离子切割中的碎片残留。附图说明图1A是示出本专利技术的第1实施方式所述的元件芯片的制造方法的第1准备工序的截面图。图1B是示出元件芯片的制造方法的第2准备工序的截面图。图1C是示出元件芯片的制造方法的保护工序的截面图。图1D是示出元件芯片的制造方法的薄化工序的截面图。图1E是示出元件芯片的制造方法的第1保持工序的截面图。图1F是示出元件芯片的制造方法的第2保持工序的截面图。图1G是示出元件芯片的制造方法的第1掩膜形成工序的截面图。图1H是示出元件芯片的制造方法的第2掩膜形成工序的截面图。图1I是示出元件芯片的制造方法的图案化工序的截面图。图1J是示出元件芯片的制造方法的清洗工序的截面图。图1K是示出元件芯片的制造方法的单片化工序的截面图。图1L是示出元件芯片的制造方法的灰化工序的截面图。图2是示出图1L的详细的部分放大截面图。图3是干式蚀刻装置的示意图。图4是实施元件芯片的制造方法的集群(cluster)装置的概略构成图。图5A是示出本专利技术的第2实施方式所述的元件芯片的制造方法的第1准备工序的截面图。图5B是示出元件芯片的制造方法的第2准备工序的截面图。图5C是示出元件芯片的制造方法的保护工序的截面图。图5D是示出元件芯片的制造方法的薄化工序的截面图。图5E是示出元件芯片的制造方法的第1保持工序的截面图。图5F是示出元件芯片的制造方法的第1掩膜形成工序的截面图。图5G是示出元件芯片的制造方法的第2掩膜形成工序的截面图。图5H是示出元件芯片的制造方法的图案化工序的截面图。图5I是示出元件芯片的制造方法的清洗工序的截面图。图5J是示出元件芯片的制造方法的单片化工序的截面图。图5K是示出元件芯片的制造方法的灰化工序的截面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。(第1实施方式)图1A至图1L示出了本专利技术的第1实施方式所述的半导体芯片(元件芯片)2的制造工序。一并参照最终工序图的图1L、和半导体芯片2的详细图的图2，所制造的半导体芯片2具备：半导体层4、在半导体层4上形成的布线层6、在布线层6上形成的保护膜8和作为电极的凸块(bump)10。需要说明的是，图2为截面图，但为了使图示明确，省略了阴影线。凸块10通常使用焊锡，焊锡通过镀覆法、印刷法、或蒸镀法而形成。在半导体芯片2的保护膜8上形成UBM膜(凸块下金属膜)9，凸块10形成于该UBM膜9上。即，UBM膜9为凸块10的基底层，基本上具有导电性，与布线层6中的金属布线6B电连接。布线层6中设置有这种金属布线6B、绝缘膜6C、和晶体管6D。金属布线6B的材质例如可以为Cu、Al、Al合金、或W等。绝缘膜6C的材质可以为SiO2、SiN、SiOC、或Low-k材料等。凸块10所含的金属可以为Cu、Cu和Sn和Ag的合金、Ag和Sn的合金、Au、Al、或Al合金等。凸块10的形状没有特别限定，可以为棱柱、圆柱、山形、球形等。凸块10的配置和个数没有特别限定，可以根据目的适当设定。此处，作为电极的凸模的凸块10可以为凹模的焊盘电极。另外，布线层6中设置有称为TEG(TestElementGroup)的金属层6E，更详细地，金属层6E遍及元件区域14(参照图1B)和分割区域16(参照图1B)地进行设置。在本实施方式中，凸块10例如为直径40μm、高度50μm的Cu柱等。另外，布线层6为例如具备Low-k材料和Cu布线的厚度5μm左右的布线层。另外，半导体层4为例如由Si形成的厚度70μm的半导体层。另外，在半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种元件芯片的制造方法，其包括：准备具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域、并且具备第1面和与所述第1面相反侧的第2面的基板，将所述基板的所述第2面保持至保持片，将所述基板的所述第1面用具备非水溶性的下层和水溶性的上层的掩膜被覆，通过对所述掩膜照射激光而在所述掩膜形成开口从而使所述基板的分割区域露出，使所述基板与水或水溶液接触，去除被覆所述元件区域的所述掩膜的所述上层并使所述下层残留，将所述基板暴露于第1等离子体，将所述开口所露出的所述分割区域进行蚀刻至到达所述第2面为止从而单片化为多个元件芯片，成为所述多个元件芯片保持至所述保持片的状态，去除所述多个元件芯片的表面残留的所述掩膜，成为去除了所述掩膜的所述多个元件芯片保持至所述保持片的状态。

【技术特征摘要】
2017.09.07 JP 2017-1723661.一种元件芯片的制造方法，其包括：准备具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域、并且具备第1面和与所述第1面相反侧的第2面的基板，将所述基板的所述第2面保持至保持片，将所述基板的所述第1面用具备非水溶性的下层和水溶性的上层的掩膜被覆，通过对所述掩膜照射激光而在所述掩膜形成开口从而使所述基板的分割区域露出，使所述基板与水或水溶液接触，去除被覆所述元件区域的所述掩膜的所述上层并使所述下层残留，将所述基板暴露于第1等离子体，将所述开口所露出的所述分割区域进行蚀刻至到达所述第2面为止从而单片化为多个元件芯片，成为所述多个元件芯片保持至所述保持片的状态，去除所述多个元件芯片的表面残留的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐崎秀彦，松原功幸，针贝笃史，佐伯英史，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP