一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法技术

本发明专利技术涉及一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，应用于硅片纸源扩散后硼斑的去除。首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF4和O2的混合气体，其中气体比例为CF4：O2=3‑5：1，气体的总量控制在150‑250sccm，刻蚀功率为300‑600W，刻蚀时间为8‑15min，工作时真空度为10‑30Pa；然后，将硅片放入等离子刻蚀机中运行刻蚀程序；刻蚀完成后，将硅片置于SC‑I溶液中浸泡5‑10分钟后用纯水冲洗、甩干、烘干。本发明专利技术用等离子气体刻蚀的方式去除硅片表面的硼斑，防止引入喷砂造成芯片应力较大，导致晶格缺陷，造成硅片破碎及影响电性能力。同时可以提高后续镀镍时镍层和硅的结合力，避免脱镍。

【技术实现步骤摘要】
一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法。
技术介绍
在硅片加工过程中，需要通过扩散形成PN结，以实现半导体整流作用。在形成PN结时，需要采用硼纸贴在硅片表面，其中的三氧化二硼会与硅发生反应，形成硼和二氧化硅，硼在向硅片内部扩散过程时形成P+区。由于硼浓度较高，在向硅片扩散过程中不可避免会形成硼斑。这层硼斑对扩散有好处，但是由于其会对后续工序产生影响所以必须去除。目前二极管工艺中，扩散后去除硼斑的方法主要为喷砂法，这种方法会对硅片产生极大的损伤，引入应力及位错，给后续产品电性带来很大的危害，而且喷砂产生的遭损坑会影响后续镀镍质量，在成品封装过程中造成镍层脱落。
技术实现思路
为解决上述缺陷，本专利技术的目的是在于提供一种工艺简单，可靠性高、产能高的方法去除硼斑的方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，包括以下步骤：首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF4和O2的混合气体，刻蚀功率为300-600W，刻蚀时间为8-15min，工作时真空度为10-30Pa；然后，将硅片放入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF4和O2的混合气体，刻蚀功率为300‑600W，刻蚀时间为8‑15min，工作时真空度为10‑30Pa；然后，将硅片放入等离子刻蚀机中运行刻蚀程序；刻蚀完成后，将硅片置于SC‑I溶液中浸泡5‑10分钟后用纯水冲洗、甩干、烘干。

【技术特征摘要】
1.一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF4和O2的混合气体，刻蚀功率为300-600W，刻蚀时间为8-15min，工作时真空度为10-30Pa；然后，将硅片放入等离子刻蚀机...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳潇，张超，席落华，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32