An embodiment of the present disclosure relates to a method for manufacturing an integrated circuit chip with lateral insulation. Side insulated integrated circuit chips are fabricated from semiconductor wafers. The peripheral groove is formed in the wafer, and the peripheral groove laterally defines the integrated circuit chip to be formed. The depth of the peripheral groove is greater than or equal to the desired final thickness of the integrated circuit chip. Peripheral grooves are formed by repeating the following successive steps: a) ion etching using sulfur hexafluoride plasma; and b) passivation using octafluorocyclobutane plasma. When the step of forming the peripheral groove is completed, the lateral wall of the peripheral groove is covered by an insulating layer of polyvinyl fluoride. A thinning step is performed on the lower surface of the wafer until the bottom of the peripheral groove is reached. The insulating layer is not removed.
【技术实现步骤摘要】
用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法优先权要求本申请要求2017年7月13日提交的法国专利申请第1756678号的优先权,其全部内容通过引用整体并入,以达到法律允许的最大程度。
本申请涉及电子集成电路芯片领域。更具体地,本申请涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。
技术介绍
电子集成电路芯片常规上包括在半导体晶圆被切块之前被形成在半导体晶圆中的一个或多个电子部件,并且在一个面上包括一个或多个接触金属化(例如焊盘),该接触金属化期望被焊接到集成电路芯片外侧的外部器件,例如印刷电路板或另一集成电路芯片。在某些应用中,需要可以被直接使用而无需封装的集成电路芯片,特别地是二极管,更特别地是保护二极管,其中集成电路芯片的侧向面或侧部被涂覆有电气绝缘层。以这种方式对集成电路芯片进行侧向绝缘使得尤其可以当进行焊接时防止焊料向集成电路芯片的侧部(侧面)的潜在蠕动,这可能导致在集成电路芯片的衬底与电极之间形成短路。图1是由虚线界定并且由半导体晶圆3(例如硅晶圆)的上表面形成的二极管1的截面视图。在这个阶段,二极管1与晶圆3是一体的。二极管1由位于半导体晶圆3的p掺杂区域7内的n掺杂阱5所形成。阱5例如由区域7的上表面形成并且在区域7的上表面处形成。接触区域9、接触区域11分别被形成在阱5和区域7中。区域9是n掺杂的并且具有高于n掺杂阱的掺杂水平的n+掺杂水平。区域11是p掺杂的并且具有高于区域7的掺杂水平的p+掺杂水平。阴极接触13和阳极接触15被形成在接触区域9、接触区域11上。阳极接触15被形成在接触区域11上(图1中的右侧)。阴极接触13被形成在接触区域9上( ...
【技术保护点】
1.一种用于从半导体晶圆制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法,包括下列相继的步骤:形成外围沟槽,所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片,其中所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度,其中形成包括重复下列相继的步骤:a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻,以形成外围沟槽部;以及b)使用八氟环丁烷等离子体钝化所述外围沟槽部,使得在完成形成的步骤时,所述外围沟槽的侧向壁被由聚氟乙烯制成的绝缘层覆盖;以及在不执行移除所述绝缘层的先前步骤的情况下,经由下表面来减薄所述半导体晶圆,直到到达所述外围沟槽的底部。
【技术特征摘要】
2017.07.13 FR 17566781.一种用于从半导体晶圆制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法,包括下列相继的步骤:形成外围沟槽,所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片,其中所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度,其中形成包括重复下列相继的步骤:a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻,以形成外围沟槽部;以及b)使用八氟环丁烷等离子体钝化所述外围沟槽部,使得在完成形成的步骤时,所述外围沟槽的侧向壁被由聚氟乙烯制成的绝缘层覆盖;以及在不执行移除所述绝缘层的先前步骤的情况下,经由下表面来减薄所述半导体晶圆,直到到达所述外围沟槽的底部。2.根据权利要求1所述的方法,其中最后钝化的持续时间比任何先前钝化的持续时间长至少50%。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述最后钝化的所述持续时间介于10秒和7分钟之间。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述外围沟槽的深度比所述集成电路芯片的所述期望最终厚度大10μm至50μm。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述外围沟槽的宽度介于5μm和80μm之间。7.一种电子集成电路芯片,包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件;以及聚氟乙烯的绝缘层,所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间,所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·罗维瑞,M·布夫尼彻尔,E·拉孔德,
申请(专利权)人:意法半导体图尔公司,
类型:发明
国别省市:法国,FR
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