一种刻蚀方法技术

本申请公开了一种刻蚀方法，该刻蚀方法在采用干法刻蚀工艺去除掉沟道孔底部的保护层之后，采用湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层，因湿法腐蚀工艺具有各向同性的特点，因此，在湿法去除沟道孔底部的存储器层时，湿法腐蚀工艺不仅会沿着沟道孔竖直方向向下腐蚀存储器层，还会沿着沟道孔横向方向横向刻蚀存储器层，如此，刻蚀掉的存储器层的横向尺寸大于先前干法刻蚀工艺刻蚀掉的保护层的横向尺寸，最后在去除掉沟道孔侧壁上的保护层之后，就会在沟道孔底部形成较大的横向空间。该较大的横向空间有利于后续沉积的多晶硅与沟道孔底部的外延结构的连接，进而有利于提高3D NAND存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀方法
本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种刻蚀方法。
技术介绍
3DNAND存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和绝缘层结合垂直沟道孔组成。相同面积条件下，垂直堆叠的金属栅层越多，意味着闪存器件的存储密度越大、容量越大。目前常见的存储结构的字线堆叠层数可达数十上百层。在3DNAND存储器的制造过程中，需要去除掉形成于沟道孔底部的部分存储器层。现有去除沟道孔底部的部分存储器层的方法一般是通过干法刻蚀工艺实现。然而，由于干法刻蚀工艺的各向异性的特点，等离子体只能沿着沟道孔竖直方向向下进行刻蚀，又由于在3DNAND存储器中，沟道孔的深度较深，导致刻蚀的沟道孔底部的关键尺寸较小，如此，导致后续形成的沟道层与沟道孔底部的外延结构的连接性较差，从而影响3DNAND存储器的性能。此外，当3DNAND存储器为多个子堆叠结构形成的整体结构时，等离子体还会破坏堆叠结构的临近子堆叠结构的对接位置处的薄膜，降低3DNAND存储器的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种刻蚀方法，以解决上述技术问题。为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：一种刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的保护层；采用干法刻蚀工艺去除沟道孔底部的保护层；采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的保护层；采用干法刻蚀工艺去除沟道孔底部的保护层；采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟道孔的底部形成有由衬底外延生长的外延结构，所述外延结构位于所述存储器层的下方；所述采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层之后，还包括：采用第二湿法腐蚀工艺刻蚀掉沟道孔底部的部分外延结构。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层之后，还包括：采用第三湿法腐蚀工艺去除残留在沟道孔内部的保护层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用第三湿法腐蚀工艺去除残留在沟道孔内部的保护层之后，还包括：向所述沟道孔内填充沟道层，所述沟道层覆盖于所述存储器层和所述外延结构之上。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为沟道材料，所述采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层之后，还包括：向所述沟道孔内填充沟道材料薄膜层，所述沟道材料薄膜层覆盖于所述保护层、所述存储器层和所述外延结构之上；所述沟道材料薄膜层和保护层共同作为沟道层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述沟道材料薄膜层与保护层的材料相同。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，苏界，王二伟，夏余平，宋冬门，孙文斌，蒋阳波，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42