晶圆的侧墙刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆的侧墙刻蚀方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括侧墙主刻蚀工艺和晶边处理工艺，所述晶边处理工艺为对晶圆边缘进行工艺操作，以补偿晶圆侧墙主刻蚀工艺中晶圆边缘与晶圆中心刻蚀速率不同的缺陷，而提高侧墙面内均一性，进而提高晶圆整体均一性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的侧墙刻蚀方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种晶圆的侧墙刻蚀方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造技术中，晶圆侧墙(spacer)刻蚀是关键步骤之一。随着集成电路技术的发展，半导体器件性能对侧墙面内均一性(spaceruniformity)的敏感性和要求也进一步提高。然而，晶圆的侧墙刻蚀是对温度敏感的刻蚀工艺，温度是影响侧墙面内均一性的最主要因素，但目前刻蚀机台(如，chamberESCdual-zone/4-zone)的控温系统对晶圆边缘的控制性较差，导致边缘侧墙的厚度控制非常困难，也即，侧墙面内刻蚀的速率不一致，这种差异性是侧墙面内均一性较差，进而导致晶圆整体均一性较差的主要原因。图1a为现有技术中晶圆的侧墙刻蚀后晶圆厚度分布示意图，图1b为现有技术中晶圆的侧墙刻蚀后晶圆厚度坐标图，如图1a和1b所示，晶圆的厚度呈中心薄、边缘厚的分布，导致晶圆面内均一性较差。因此，在半导体集成电路制造技术中，急需一种晶圆的侧墙刻蚀方法，以提高侧墙面内均一性，进而提高晶圆整体均一性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆的侧墙刻蚀方法，该晶圆的侧墙刻蚀方法包括侧墙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，包括侧墙主刻蚀工艺和晶边处理工艺。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，包括侧墙主刻蚀工艺和晶边处理工艺。2.根据权利要求1所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述晶边处理工艺为对晶圆边缘进行工艺操作。3.根据权利要求1所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述晶边处理工艺为对晶圆边缘进行辅助刻蚀工艺。4.根据权利要求3所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆的侧墙刻蚀方法依次包括以下步骤：侧墙沉积工艺，形成侧墙沉积层；对晶圆边缘进行辅助刻蚀工艺，使晶圆边缘厚度变薄；以及，进行侧墙主刻蚀工艺。5.根据权利要求3所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆的侧墙刻蚀方法依次包括以下步骤：侧墙沉积工艺，形成侧墙沉积层；进行侧墙主刻蚀工艺；以及，对晶圆边缘进行辅助刻蚀工艺，使晶圆边缘厚度变薄。6.根据权利要求4或5任一项所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述辅助刻蚀工艺为采用含氟类刻蚀气体对晶圆边缘进行刻蚀。7.根据权利要求4或5任一项所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于，所述辅助刻蚀工艺的刻蚀范围为5A～1000A。8.根据权利要求1所述的晶圆的侧墙刻蚀方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱轶铮，产斯飞，李全波，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31