改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料技术

本发明专利技术公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料
本专利技术属于在低掺杂浓度材料测试的领域，具体涉及一种改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料。
技术介绍
目前，在测试III-V族化合物半导体薄膜材料的掺杂浓度时，如果表面掺杂浓度较低，测试探针和材料无法形成欧姆接触，会出现无法对低掺杂浓度材料进行电化学电容电压测试的问题。以往如果需要对低掺杂浓度材料进行电化学电容电压测试需要在低掺杂浓度材料上面生长高掺杂浓度材料，两种不同溶度的材料之间会产生浓度的扩散，这样会导致低掺杂浓度材料的浓度测量产生误差。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，解决了无法测试低掺杂浓度材料的电化学电容电压的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供的一种改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，其特征在于，所述圆形薄膜层的直径为0.6-1.5mm，所述圆形薄膜层的厚度为6-15μm。3.根据权利要求1所述的改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，其特征在于，所述退火温度为630-670℃，退火时间为13-17分钟。4.根据权利要求1所述的改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，其特征在于，所述镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触的接触电阻为5-7Ω。5.根据权利要求1所述的改善低...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杨，李弋洋，
申请(专利权)人：中科芯电半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11