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本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生...
该专利属于中科芯电半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中科芯电半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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