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本发明涉及一种晶圆的侧墙刻蚀方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括侧墙主刻蚀工艺和晶边处理工艺，所述晶边处理工艺为对晶圆边缘进行工艺操作，以补偿晶圆侧墙主刻蚀工艺中晶圆边缘与晶圆中心刻蚀速率不同的缺陷，而提高侧墙面内均一性，进而提高晶圆整体...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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