【技术实现步骤摘要】
用于化学处理半导体衬底的设备
本技术涉及一种用于化学处理半导体衬底的方法。本技术还涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备。最后，本技术涉及一种用于制造太阳能电池的方法。
技术介绍
在由晶圆制造太阳能电池时的全部步骤包括对晶圆正面和背面的处理。在此有利的是，有区别地处理晶圆的正面和背面。这通常需要非常费事的方法。例如由专利文献DE102011056495A1和WO2016/012405A1已知用于处理半导体衬底的方法。
技术实现思路
本技术要解决的一个技术问题在于，改进用于化学处理半导体衬底的方法。上述技术问题通过按照本技术的方法解决，即一种用于化学处理半导体衬底的方法，其包括下述步骤：-制备带有正面和背面的半导体衬底，-制备用于对所述半导体衬底进行织构化的设备，所述设备具有用于容纳刻蚀介质的槽设备，-制备所述槽中的刻蚀介质，-把所述半导体衬底引入所述槽，其中，所述半导体衬底的正面和其背面都至少暂时地完全浸入刻蚀介质，-借助所述刻蚀介质处理所述半导体衬底，使得所述半导体衬底的背面具有的反射度比所述半导体衬底的正面的反射度大至少2％。本技术的核心在于，按如下所述地处理半导体衬底...
【技术保护点】
1.一种用于化学处理半导体衬底的设备，其特征在于，所述设备(1)包括：‑用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，‑用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装置。
【技术特征摘要】
2017.04.13 DE 102017206455.2;2017.09.04 DE 10201721.一种用于化学处理半导体衬底的设备，其特征在于，所述设备(1)包括：-用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，-用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装置。2.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装置具有用于使在所述槽(3)中的刻蚀介质(4)产生流动的器件。3.按照权利要求2所述的设备...
【专利技术属性】
技术研发人员：I梅尔尼克，P法思，W约斯，
申请(专利权)人：RCT解决方法有限责任公司，
类型：新型
国别省市：德国,DE
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