The invention provides a method for making velvet on the surface of solar grade polycrystalline silicon wafer, which comprises five processes: preparation of pickling solution, acid rot, alkali rot, corrosion of HF and HCl mixed solution, and blow-drying. Because HNO 3, HF and H2SiF6 are contained in pickling solution prepared in the first process, the problem of polycrystalline silicon corrosion too fast in acid solution containing only HNO 3 and HF under the same conditions, the width of suede pits is too large and the depth is not enough, which is not conducive to the improvement of light trapping performance of polycrystalline silicon.
【技术实现步骤摘要】
一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法
本专利技术属于太阳能级多晶硅片制备领域，具体涉及一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法。
技术介绍
在光伏发电领域，由于多晶硅电池片成本较低，其市场占有率已跃居首位，但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池片与单晶硅太阳能电池片之间的差距，采用织构化多晶硅表面的方法提高多晶硅片晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前，多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等，其中各向同性酸腐制绒技术的工艺简单，可以较容易地整合到多晶硅太阳能电池的生产工序中，同时成本最低，因而在大规模的工业生产中得到了广泛的应用。在各向同性酸腐制绒技术中，目前常采用浓硝酸和盐酸混合酸溶液对多晶硅片进行腐蚀，但该种混合溶液往往存在对于多晶硅片腐蚀量过大的问题，并难以调整工艺条件将其腐蚀量控制在合适的范围。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述问题而进行的，目的在于提供一种新的太阳能级多晶硅片表面制绒方法，具体方案如下：本专利技术提供的一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法包括以下步骤：A.酸洗溶液配制...
【技术保护点】
1.一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：A.酸洗溶液配制配制含有HNO3、HF和H2SiF6的酸洗溶液，并保持溶液温度为6～9℃，其中HNO3、HF和H2SiF6的质量比为450～490:60～100:1～5；B.酸腐将所述太阳能级多晶硅片以1～1.5m/min的速度穿过所述酸洗溶液后，采用去离子水清洗沾附在表面的酸溶液；C.碱腐采用pH为3～4的强碱溶液对以相同速度穿过的所述太阳能级多晶硅片进行碱腐，然后采用去离子水进行清洗；D.HF和HCl混合溶液腐蚀采用HCl和HF质量比为10:1～2:1的HF和HCl混合溶液进行酸腐后，去离子水清洗；E.吹干...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：A.酸洗溶液配制配制含有HNO3、HF和H2SiF6的酸洗溶液，并保持溶液温度为6～9℃，其中HNO3、HF和H2SiF6的质量比为450～490:60～100:1～5；B.酸腐将所述太阳能级多晶硅片以1～1.5m/min的速度穿过所述酸洗溶液后，采用去离子水清洗沾附在表面的酸溶液；C.碱腐采用pH为3～4的强碱溶液对以相同速度穿过的所述太阳能级多晶硅片进行碱腐，然后采用去离子水进行清洗；D.HF和HCl混合溶液腐蚀采用HCl和HF质量...
【专利技术属性】
技术研发人员：余刚，丁一，王剑，姚玖洪，
申请(专利权)人：镇江仁德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。