用于化学处理半导体衬底的设备及机械式转送单元制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，所述半导体衬底带有被锯割形成的表面结构，所述设备具有：工艺槽，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构；清洁装置，被构造为用硝酸溶液对所述织构化的表面结构实施至少一次清洁并且使所述织构化的表面结构在所述清洁期间保持亲水性。所述设备还包括沿所述半导体衬底的输送方向直接地设在所述清洁装置之后的机械式转送单元或干燥装置。根据本实用新型专利技术，仅需要新增较少数量的部件就可对现有设备加以升级改造并实现黑硅织构化，从而大幅减少设备投资。

Device for chemical treatment of semiconductor substrate and mechanical transfer unit

The utility model relates to a device for chemically treating a semiconductor substrate with a surface structure formed by sawing and cutting. The device has a process slot, which is constructed to accommodate a process liquid, and thus removes the surface structure formed by sawing and through metal assisted chemical etching to produce texture. The chemical surface structure; the cleaning device is constructed to implement at least one cleaning of the textured surface structure with a nitric acid solution and to keep the textured surface structure hydrophilic during the cleaning period. The device also includes a mechanical transfer unit or a drying device directly located after the cleaning device along the conveying direction of the semiconductor substrate. According to the utility model, only a small number of parts can be added to upgrade the existing equipment and realize the texture of the black silicon, thus greatly reducing the investment of the equipment.

【技术实现步骤摘要】
用于化学处理半导体衬底的设备及机械式转送单元
本技术涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，所述半导体衬底带有被锯割形成的表面结构。被锯割形成的表面结构包括锯损伤，锯损伤尤其由金刚线锯工艺造成。本技术还涉及一种机械转送单元。
技术介绍
太阳能电池的效率取决于反射损失。为了把反射损失最小化和优化效率，制造带有织构化的表面结构的半导体衬底。若这种半导体衬底或者说硅衬底通过特别有效的方法处理，则其例如被称为“黑硅(英语：BlackSilicon)”。为了特别有效地实现黑硅织构化(或称为黑硅制绒)，已知一种用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构的半导体衬底的设备。该设备包括带有第一工艺液体的第一工艺槽。该第一工艺液体既适于去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构，也适于通过金属辅助化学刻蚀(MetalAssistedChemicalEtching)产生织构化的表面结构。接着借助第一清洁装置彻底清洁织构化的表面结构。接着在第二工艺槽中通过第二工艺液体后处理织构化的表面结构。后处理过的织构化的表面结构实现制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。如果太阳能电池生产厂商希望本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，所述半导体衬底(3)带有被锯割形成的表面结构(S0)，其特征在于，所述设备(1)具有：‑工艺槽(11)，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构(S0)和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构(S1)，‑清洁装置(12)，被构造为用硝酸溶液对所述织构化的表面结构(S1)实施至少一次清洁并且使所述织构化的表面结构(S1)在所述清洁期间保持亲水性。

【技术特征摘要】
1.一种用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，所述半导体衬底(3)带有被锯割形成的表面结构(S0)，其特征在于，所述设备(1)具有：-工艺槽(11)，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构(S0)和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构(S1)，-清洁装置(12)，被构造为用硝酸溶液对所述织构化的表面结构(S1)实施至少一次清洁并且使所述织构化的表面结构(S1)在所述清洁期间保持亲水性。2.按照权利要求1所述的用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)还包括沿所述半导体衬底(3)的输送方向(4)直接地设在所述清洁装置(12)之后的机械式转送单元(13)，所述机械式转送单元(13)被构造为将经所述清洁装置(12)清洁的半导体衬底(3)不经干燥地直接向用于后处理的另一设备(2)转送。3.按照权利要求2所述的用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，其特征在于，所述机械式转送单元(13)设有裸露在空气中的部段以在空气中进行所述转送。4.按照权利要求2所述的用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，其特征在于，所述机械式转送单元(13)被构造为调节来自所述清洁装置(12)的半导体衬底(3)的输送高度。5.按照权利要求2所述的用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，其特征在于，当所述半导体衬底(3)以多列运输以便同时处理或清洁多个半导体衬底(3)时，所述机械式转送单元(13)被构造为调节来自所述清洁装置(12)的多列半导体衬底(3)之间的间隔。6.按照权利要求1所述的用于化学处理半导体衬底(3)的设备(...

【专利技术属性】
技术研发人员：I梅尔尼克，P法思，W约斯，O沃伊特，J荣格凯尼格，
申请(专利权)人：RCT解决方法有限责任公司，
类型：新型
国别省市：德国,DE