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本实用新型涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备,所述半导体衬底带有被锯割形成的表面结构,所述设备具有:工艺槽,被构造为用于容纳工艺液体,并由此去除被锯割形成的表面结构和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构;清洁装置,被构造为用硝酸溶液...该专利属于RCT解决方法有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过RCT解决方法有限责任公司授权不得商用。
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