The invention relates to an apparatus and method for asymmetrically processing wafer (2) in a unique step.
【技术实现步骤摘要】
用于化学处理半导体衬底的方法和设备
本专利技术涉及一种用于化学处理半导体衬底的方法。本专利技术还涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备。最后，本专利技术涉及一种用于制造太阳能电池的方法。
技术介绍
在由晶圆制造太阳能电池时的全部步骤包括对晶圆正面和背面的处理。在此有利的是，有区别地处理晶圆的正面和背面。这通常需要非常费事的方法。例如由专利文献DE102011056495A1和WO2016/012405A1已知用于处理半导体衬底的方法。
技术实现思路
本专利技术要解决的一个技术问题在于，改进用于化学处理半导体衬底的方法。上述技术问题通过按照本专利技术的方法解决，即一种用于化学处理半导体衬底的方法，其包括下述步骤：-制备带有正面和背面的半导体衬底，-制备用于对所述半导体衬底进行织构化的设备，所述设备具有用于容纳刻蚀介质的槽设备，-制备所述槽中的刻蚀介质，-把所述半导体衬底引入所述槽，其中，所述半导体衬底的正面和其背面都至少暂时地完全浸入刻蚀介质，-借助所述刻蚀介质处理所述半导体衬底，使得所述半导体衬底的背面具有的反射度比所述半导体衬底的正面的反射度大至少2％。本专利技术的核...
【技术保护点】
1.一种用于化学处理半导体衬底(2)的方法，其包括下述步骤：1.1.制备带有正面(20)和背面(19)的半导体衬底(2)，1.2.制备用于对所述半导体衬底(2)进行织构化的设备(1)，该设备具有用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，1.3.制备所述槽(3)中的刻蚀介质(4)，1.4.把所述半导体衬底(2)引入所述槽(3)，1.4.1.其中，所述半导体衬底(2)的正面(20)和背面(19)都至少暂时地完全浸入刻蚀介质(4)，1.5.借助所述刻蚀介质(4)处理所述半导体衬底(2)，使得所述半导体衬底(2)的背面(19)具有的反射度(RR)比所述半导体衬底(2)的正面(20)的反射度(RV)大至少2％。
【技术特征摘要】
2017.04.13 DE 102017206455.2;2017.09.04 DE 10201721.一种用于化学处理半导体衬底(2)的方法，其包括下述步骤：1.1.制备带有正面(20)和背面(19)的半导体衬底(2)，1.2.制备用于对所述半导体衬底(2)进行织构化的设备(1)，该设备具有用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，1.3.制备所述槽(3)中的刻蚀介质(4)，1.4.把所述半导体衬底(2)引入所述槽(3)，1.4.1.其中，所述半导体衬底(2)的正面(20)和背面(19)都至少暂时地完全浸入刻蚀介质(4)，1.5.借助所述刻蚀介质(4)处理所述半导体衬底(2)，使得所述半导体衬底(2)的背面(19)具有的反射度(RR)比所述半导体衬底(2)的正面(20)的反射度(RV)大至少2％。2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底(2)的正面(20)的织构化和所述半导体衬底(2)的背面(19)的抛光同时进行。3.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使用酸作为所述刻蚀介质(4)，其中，所述刻蚀介质(4)尤其具有金属离子。4.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在借助所述刻蚀介质(4)处理所述半导体衬底(2)期间形成的气泡被至少部分地从所述半导体衬底(2)的背面(19)去除。5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于，气泡的去除借助机械的方法和/或借助流体力学的方法和/或借助热学的方法和/或借助化学的方法进行。6.按照权利要求4或5所述的方法，其特征在于，为了去除气泡，规定了刮擦方法和/或使得槽(3)中的刻蚀介质(4)产生表面流和/或加热所述半导体衬底(2)的背面(19)和/或向刻蚀介质(4)添加化学添加剂。7.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底(2)在处理期间基本水平地在槽(3)中定向。8.按照上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底(2)在处理期间借助输送装置(7)输送通过所述槽(3)。9.按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底(2)在输送通过所述槽(3)时相对于所述输送装置(7)的输送元件保持位置固定。10.一种用于化学处理半导体衬底(2)的设备(1)，其包括：10.1用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，10.2用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装...
【专利技术属性】
技术研发人员：I梅尔尼克，P法思，W约斯，
申请(专利权)人：RCT解决方法有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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