一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置制造方法及图纸

一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀、喷嘴、若干个滚轮，水刀横向设置，水刀内部中空，水刀侧壁下方内嵌喷嘴，喷淋水流从水刀、喷嘴流出，若干个滚轮位于喷嘴下方，若干个滚轮在水平面上排列，硅片位于若干个滚轮上，其特征在于，包括薄膜，以滚轮前进方向为参考方向薄膜位于水刀后侧，薄膜上端固定设置在滚轮上方，薄膜长度大于薄膜到硅片的垂直距离。本实用新型专利技术提升了硅片表面水膜的均匀性，可靠性高，改造成本低，提高产品质量的同时降低了因水膜掉水导致反应槽药液浓度被稀释的风险，降低了化学品的损失耗。

A device for improving uniformity of water film on silicon wafer during etching process

A device for improving the uniformity of water film on silicon wafer surface during etching process includes a water knife, a nozzle and several rollers, a water knife transversely arranged, a water knife internally hollow, a nozzle embedded below the side wall of the water knife, spray water flowing out of the water knife and the nozzle, a number of rollers located below the nozzle, and a number of rollers arranged on the water level. The silicon wafer is located on a number of rollers, and is characterized in that the film includes a film. The film is located at the rear side of the water knife with the forward direction of the rollers as the reference direction, and the upper end of the film is fixed above the roller. The film length is larger than the vertical distance from the film to the silicon wafer. The utility model improves the uniformity of the water film on the surface of the silicon wafer, has high reliability, low transformation cost, improves the product quality, and reduces the risk of diluting the concentration of the liquid medicine in the reaction tank caused by the water film dropping, and reduces the loss of chemicals.

【技术实现步骤摘要】
一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置
本技术涉及一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，属于晶硅电池刻蚀

技术介绍
目前刻蚀工序已普遍使用水膜，较非水膜工艺，其优点是刻蚀后硅片方块电阻提升较小，方阻被控制的更稳定，电池片效率也会表现更稳定。如图1和图2所示，但在生产过程中水膜的均匀性不好控制，水膜均匀性差或者偏厚时硅片经过刻蚀液面时易掉液，随着产量增加刻蚀槽药液浓度逐渐下降，此时设备设定的自动加液频次和添加量无法维持正常的药液浓度，需要额外进行手动补液调整，增加了化学品的消耗。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，提升硅片表面水膜的均匀性，以降低刻蚀化学药品的损耗。。为达到上述目的，本技术提供一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀、喷嘴、若干个滚轮，所述水刀横向设置，所述水刀内部中空，所述水刀侧壁下方内嵌喷嘴，喷淋水流从水刀、喷嘴流出，若干个所述滚轮位于所述喷嘴下方，若干个所述滚轮在水平面上排列，硅片位于若干个所述滚轮上；包括薄膜，以滚轮前进方向为参考方向所述薄膜位于所述水刀后侧，所述薄膜上端固定设置在所述滚轮上方，所述薄膜长度大于所述薄膜到所述硅片的垂直距离。进一步地，所述薄膜上端固定连接所述水刀外侧壁。进一步地，包括夹具，所述薄膜上端通过所述夹具固定设置在所述滚轮上方。进一步地，所述薄膜长度大于所述薄膜到所述硅片的垂直距离3cm-7cm。进一步地，所述薄膜厚度为20-25μm。进一步地，所述薄膜长度大于所述薄膜到所述硅片的垂直距离5cm。本技术所达到的有益效果：本技术提升了硅片表面水膜的均匀性，可靠性高，改造成本低，提高产品质量的同时降低了因水膜掉水导致反应槽药液浓度被稀释的风险，降低了化学品的损失耗。附图说明图1是现有技术的主视图；图2是现有技术的左视图；图3是本技术的主视图；图4是本技术的左视图。附图中标记含义，1-水刀；2-喷嘴；3-滚轮；4-硅片；5-喷淋水流；6-水膜；7-薄膜；8-夹具。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀1、喷嘴2、若干个滚轮3，所述水刀1横向设置，所述水刀1内部中空，所述水刀1侧壁下方内嵌喷嘴2，喷淋水流5从水刀1、喷嘴2流出，若干个所述滚轮3位于所述喷嘴2下方，若干个所述滚轮3在水平面上等间距排列，硅片4位于若干个所述滚轮3上；包括薄膜7，以滚轮3前进方向为参考方向所述薄膜7位于所述水刀1后侧，所述薄膜7上端固定设置在所述滚轮3上方，所述薄膜7长度大于所述薄膜7到所述硅片4的垂直距离。进一步地，所述薄膜7上端固定连接所述水刀1外侧壁，或者所述薄膜7上端通过所述夹具8固定设置在所述滚轮3上方。进一步地，所述薄膜7长度大于所述薄膜7到所述硅片4的垂直距离3cm-7cm，本实施例中所述薄膜7长度大于所述薄膜7到所述硅片4的垂直距离5cm。进一步地，所述薄膜7厚度为20-25μm，本实施例中取值20，23或25。本技术涉及晶硅电池刻蚀工序，具体方案是刻蚀槽前的水膜喷淋装置或者装置后面添加一层洁净的透明薄膜如图3和图4所示，当铺满水膜的硅片前进至薄膜处，薄膜会轻轻的与水膜接触进而将硅片表面的水膜调整均匀，避免当硅片经过刻蚀槽时因水膜不均掉水造成药液被稀释，影响刻蚀效果，一定程度上降低了化学品的消耗。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀(1)、喷嘴(2)、若干个滚轮(3)，所述水刀(1)横向设置，所述水刀(1)内部中空，所述水刀(1)侧壁下方内嵌喷嘴(2)，喷淋水流(5)从水刀(1)、喷嘴(2)流出，若干个所述滚轮(3)位于所述喷嘴(2)下方，若干个所述滚轮(3)在水平面上排列，硅片(4)位于若干个所述滚轮(3)上，其特征在于，包括薄膜(7)，以滚轮(3)前进方向为参考方向所述薄膜(7)位于所述水刀(1)后侧，所述薄膜(7)上端固定设置在所述滚轮(3)上方，所述薄膜(7)长度大于所述薄膜(7)到所述硅片(4)的垂直距离。

【技术特征摘要】
1.一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，包括水刀(1)、喷嘴(2)、若干个滚轮(3)，所述水刀(1)横向设置，所述水刀(1)内部中空，所述水刀(1)侧壁下方内嵌喷嘴(2)，喷淋水流(5)从水刀(1)、喷嘴(2)流出，若干个所述滚轮(3)位于所述喷嘴(2)下方，若干个所述滚轮(3)在水平面上排列，硅片(4)位于若干个所述滚轮(3)上，其特征在于，包括薄膜(7)，以滚轮(3)前进方向为参考方向所述薄膜(7)位于所述水刀(1)后侧，所述薄膜(7)上端固定设置在所述滚轮(3)上方，所述薄膜(7)长度大于所述薄膜(7)到所述硅片(4)的垂直距离。2.根据权利要求1所述的一种改善刻蚀过程中硅片表面水膜均匀性的装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张士成，童锐，张满良，
申请(专利权)人：南通苏民新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32