一种PERC电池的背面结构层制造技术

技术编号:29361398 阅读:14 留言:0更新日期:2021-07-20 18:49
本实用新型专利技术公开了一种PERC电池的背面结构层,包括依次沉积在硅片背面的氧化铝膜层、SiNx结构层和铝膜层,其中所述的SiNx结构层为分层结构,按从氧化铝膜层到铝膜层的方向由顺次设置的M层具有不同折射率和膜厚的SiNx分层膜组成。本实用新型专利技术通过对晶硅PERC电池背面的SiNx结构层采用多层结构层的设计,在靠近氧化铝层选用折射率等于或低于2.03的氮化硅膜,将高折射率的氮化硅膜置于中间位置,在保证对长波长反射的同时提高该层SiNx对硅片的氢钝化效果,并且将靠近铝膜层的各层SiNx膜采用折射率由高至低降变的设计方法,同样在保证增加电池对长波光子的吸收的同时避免背面铝浆的侵蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种PERC电池的背面结构层
本技术属于PERC电池结构领域,具体涉及一种PERC电池的背面结构层。
技术介绍
现有技术中的晶硅PERC电池背面的SiNx多采用双层膜结构,靠近氧化铝层一侧的SiNx采用的是高折射率的SiNx材料,外层采用的是低折射率的SiNx材料。该设计从光学角度可以增加长波光的反射,提高电池对长波光子的吸收,但靠近氧化铝层的SiNx设计高折射率会降低氮化硅中氢原子对硅片的钝化性能,阻碍电池效率进一步提升。
技术实现思路
针对上述问题,本技术提出一种PERC电池的背面结构层。实现上述技术目的,达到上述技术效果,本技术通过以下技术方案实现:一种PERC电池的背面结构层,包括依次沉积在硅片背面的氧化铝膜层、SiNx结构层和铝膜层,其中所述的SiNx结构层为分层结构,按从氧化铝膜层到铝膜层的方向由顺次设置的M层具有不同折射率和膜厚的SiNx分层膜组成;所述的SiNx分层膜包括设置在中间位置具有最大折射率的SiNx分层膜A,和分别设置在所述SiNx分层膜A和氧化铝膜层之间的至少一层SiNx分层膜B,以及设置在所述SiNx分层膜A和之间的至少两层SiNx分层膜C,所述的SiNx分层膜B和所述的SiNx分层膜C的折射率沿着向两侧扩散的方向逐级降低。作为本技术的进一步改进,所述SiNx分层膜A的膜厚最小,折射率最大,其膜厚在所述SiNx结构层总厚度所占比低于7%,其折射率大于等于2.3。作为本技术的进一步改进,所述SiNx分层膜B的折射率小于所述SiNx分层膜A的折射率,大于或等于具有最小折射率的所述SiNx分层膜C的折射率,所述SiNx分层膜B的膜厚为所述SiNx分层膜A的膜厚的2-3倍。作为本技术的进一步改进,所述SiNx分层膜B的折射率低于2.03。作为本技术的进一步改进,最贴近所述铝膜层的所述SiNx分层膜C的膜厚最大,折射率最小,其膜厚不低于90nm,其折射率不大于2。作为本技术的进一步改进,位于中间的所述SiNx分层膜C的膜厚与所述SiNx分层膜A的膜厚相同。作为本技术的进一步改进,所述SiNx结构层的总厚度介于140-160nm。优选的,所述的M为5。本技术的有益效果:本技术通过对晶硅PERC电池背面的SiNx结构层采用多层结构层的设计,在靠近氧化铝层选用折射率等于或低于2.03的氮化硅膜,将高折射率的氮化硅膜置于中间位置,在保证对长波长反射的同时提高该层SiNx对硅片的氢钝化效果,并且将靠近铝膜层的各层SiNx膜采用折射率由高至低降变的设计方法,同样在保证增加电池对长波光子的吸收的同时避免背面铝浆的侵蚀。附图说明图1为本技术的PERC电池的背面结构示意图;其中:1-硅片,2-氧化铝膜层,3-SiNx结构层,301-SiNx分层膜A,302-SiNx分层膜B,303-SiNx分层膜C,4-铝膜层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。下面结合附图对本技术的应用原理作详细的描述。如图所示的一种PERC电池的背面结构层,包括依次沉积在硅片1背面的氧化铝膜层2、SiNx结构层3和铝膜层4,其中所述的SiNx结构层3为分层结构,按从氧化铝膜层2到铝膜层4的方向由顺次设置的M层具有不同折射率和膜厚的SiNx分层膜组成。具体的结构是,所述的SiNx分层膜包括设置在中间位置具有最大折射率的SiNx分层膜A301,和分别设置在所述SiNx分层膜A301和氧化铝膜层42之间的至少一层SiNx分层膜B302,以及设置在所述SiNx分层膜A301和之间的至少两层SiNx分层膜C303,所述的SiNx分层膜B302和所述的SiNx分层膜C303的折射率沿着向两侧扩散的方向逐级降低。另外,由于所述SiNx结构层3的总厚度需要控制在140-160nm之间,所以该具有分层结构的SiNx结构层3在设置各个分层膜的过程中,除了需要考虑材料折射率的,还需要将材料的折射率对应于膜层的膜厚性能,注重膜厚的调控。总的设计原则遵循以下几点:1.所述SiNx分层膜A301的膜厚最小,折射率最大,其膜厚在所述SiNx结构层3总厚度所占比低于7%,其折射率大于等于2.3。2.所述SiNx分层膜B302的折射率小于所述SiNx分层膜A301的折射率,大于或等于具有最小折射率的所述SiNx分层膜C303的折射率,所述SiNx分层膜B302的膜厚为所述SiNx分层膜A301的膜厚的2-3倍。3.最贴近所述铝膜层4的所述SiNx分层膜C303的膜厚最大,折射率最小,其膜厚不低于90nm,其折射率不大于2。4.位于中间的所述SiNx分层膜C303的膜厚与所述SiNx分层膜A301的膜厚相同。优选的,SiNx结构层3中包括5层分层膜,其中包含设置在氧化铝膜层42一侧的一层SiNx分层膜B302,设置在铝膜层4一侧的三层SiNx分层膜C303,以及设置在SiNx分层膜B302和SiNx分层膜C303之间的SiNx分层膜A301。以该5层分层膜所形成的制作总膜厚为150nm的SiNx结构层3为例,隔层的膜厚及折射率的分布如下:靠近氧化铝膜层42,对应于SiNx分层膜B302的位置,设计的是膜厚为20nm的低折射率(2.03)氮化硅,以提高该层SiNx膜层中的Si-N键比例,提升该层SiNx膜的质量密度,释放的原子氢更容易扩散至硅体内去钝化硅片中的缺陷。往外对应于SiNx分层膜A301和SiNx分层膜C303的位置,依次设计2.3/2.13/2.03/1.96不同折射率降变结构,膜厚分别设计为10/10/10/100nm,以增强对进入电池内部长波光子的反射,增加对光子的吸收,同时最外层SiNx折射率设计为1.96,可以有效的避免背面铝浆的侵蚀,更好的保护氧化铝钝化膜。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PERC电池的背面结构层,其特征在于:包括依次沉积在硅片背面的氧化铝膜层、SiNx结构层和铝膜层,其中所述的SiNx结构层为分层结构,按从氧化铝膜层到铝膜层的方向由顺次设置的M 层具有不同折射率和膜厚的SiNx分层膜组成;/n所述的SiNx分层膜包括设置在中间位置具有最大折射率的SiNx分层膜A,和分别设置在所述SiNx分层膜A和氧化铝膜层之间的至少一层SiNx分层膜B,以及设置在所述SiNx分层膜A和之间的至少两层SiNx分层膜C,所述的SiNx分层膜B和所述的SiNx分层膜C的折射率沿着向两侧扩散的方向逐级降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种PERC电池的背面结构层,其特征在于:包括依次沉积在硅片背面的氧化铝膜层、SiNx结构层和铝膜层,其中所述的SiNx结构层为分层结构,按从氧化铝膜层到铝膜层的方向由顺次设置的M层具有不同折射率和膜厚的SiNx分层膜组成;
所述的SiNx分层膜包括设置在中间位置具有最大折射率的SiNx分层膜A,和分别设置在所述SiNx分层膜A和氧化铝膜层之间的至少一层SiNx分层膜B,以及设置在所述SiNx分层膜A和之间的至少两层SiNx分层膜C,所述的SiNx分层膜B和所述的SiNx分层膜C的折射率沿着向两侧扩散的方向逐级降低。


2.根据权利要求1所述的一种PERC电池的背面结构层,其特征在于:所述SiNx分层膜A的膜厚最小,折射率最大,其膜厚在所述SiNx结构层总厚度所占比低于7%,其折射率大于等于2.3。


3.根据权利要求2所述的一种PERC电池的背面结构层,其特征在于:所述SiNx分层膜B的折射率小于所述SiNx分层膜A...

【专利技术属性】
技术研发人员:张士成童锐
申请(专利权)人:南通苏民新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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