一种双面PERC太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双面PERC太阳电池及其制备方法，所述方法包括对硅片做预处理；在所述硅片的背面顺次沉积氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜，以及具有多层折射率的氮化硅薄膜；对所述硅片做后处理，完成双面PERC太阳能电池的制备。本发明专利技术中的氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜均比较致密，具有较好的化学稳定性、很强的抗杂质扩散和水汽渗透能力，可有效解决背面PID问题，且两种膜层均为较佳的钝化膜层，并不影响电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双面PERC太阳电池及其制备方法
本专利技术属于晶体硅太阳能电池制备
，具体涉及一种双面PERC太阳电池及其制备方法。
技术介绍
PID(PotentialInducedDegradation)效应即高压诱导衰减效应，是太阳能组件在高压条件下出现的一种衰减效应。关于光伏系统中产生的PID效应的完整机理仍有待研究，目前分为三种说法：1.组件串联后可形成较高的系统电压(600V～1000V)，组件长期在高电压工作，在盖板玻璃、封装材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，此现象为表面极化效应，但此衰减是可逆的；2.组件在受到负偏压时，由漏电流阳极离子(一般为Na+)流入电池片，降低电池的并联电阻，即半导体内出现了杂质，这些杂质会形成电池内部的导电通道，降低了组件的电流输出；3.光伏组件的边缘部分容易有水气进入，EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na+，会与电池片表面的银栅线发生反应，从而腐蚀电池栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：/n对硅片做预处理；/n在所述硅片的背面顺次沉积氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜，以及具有多层折射率的氮化硅薄膜；/n对所述硅片做后处理，完成双面PERC太阳能电池的制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
对硅片做预处理；
在所述硅片的背面顺次沉积氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜，以及具有多层折射率的氮化硅薄膜；
对所述硅片做后处理，完成双面PERC太阳能电池的制备。


2.根据权利要求1所述的一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述多层折射率的氮化硅薄膜包括顺次设置的：
第一层氮化硅薄膜，所述第一层氮化硅薄膜的折射率为2.46，厚度为35～55nm；
第二层氮化硅薄膜，所述第二层氮化硅薄膜的折射率为2.35，厚度为20～40nm；
第三层氮化硅薄膜，所述第三层氮化硅薄膜的折射率为2.05，厚度为25～50nm。


3.根据权利要求2所述的一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述多层折射率的氮化硅薄膜的沉积方法包括：
设置SiH4的流量为800sccm，NH3的流量为4800sccm，形成第一层氮化硅薄膜；
设置SiH4的流量为800sccm，NH3的流量为5600sccm，形成第二层氮化硅薄膜；
设置SiH4的流量为1000sccm，NH3的流量为8000sccm，形成第三层氮化硅薄膜。


4.根据权利要求1所述的一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜的厚度为5～30nm，其沉积方法包括：
设置NH3与SiH4的气体流量比例为1.5～5；NH3与N2O的气体流量比例为1～3，沉积时间为100～250秒，采用离子体增强型化学气相沉积形成所述氮氧化硅薄膜。


5.根据权利要求1所述的一种双面PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度为3～10nm，其沉积方法包括：
设置SiH4浓度为200～800sccm，N2O浓度为2～4slm，温度为350～450℃，臭氧沉积过程中，O2浓度为15±5slm，N2浓度为35±10slm，O3浓度为400±50ppm，采用离子体增强型化学气相沉积或臭氧沉积方式，形成所述氧化硅薄膜。


6.根据权利要求1所述的一种双面PE...

【专利技术属性】
技术研发人员：马胜，童锐，张忠卫，
申请(专利权)人：南通苏民新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32