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本实用新型涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，其包括：‑用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，‑用于将气泡从布置在所述槽(3)中的半导体衬底(2)的表面(19)至少部分地去除的装置。...
该专利属于RCT解决方法有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过RCT解决方法有限责任公司授权不得商用。

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