金属连接结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种金属连接结构，所述金属连接结构包括：第一基底，所述第一基底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属通孔；位于所述第一基底表面的第二基底，所述第二基底包括第二介质层和位于所述第二介质层内的第二金属通孔，所述第二金属通孔表面与所述第一金属通孔表面键合连接；所述第二金属通孔侧壁和第二介质层之间具有第二阻挡层，所述第二阻挡层为非金属材料。上述金属连接结构能够避免所述金属连接结构的金属向外扩散，提高产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
金属连接结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种金属连接结构。
技术介绍
近年来，闪存(FlashMemory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，三维的闪存存储器(3DNAND)技术得到了迅速发展。在3DNAND闪存结构中，包括存储阵列结构以及位于存储阵列结构上方的CMOS电路结构，所述存储阵列结和CMOS电路结构通常分别形成于两个不同的晶圆上，然后通过键合方式，将CMOS电路晶圆键合到存储阵列结构上方。存储阵列结构的金属通孔与CMOS电路结构中的金属通孔键合连接。但是，现有技术中存储阵列结构与CMOS电路结构的金属通孔接触面的金属容易扩散进入周围的介质层中，导致产品的可靠性下降。如何避免金属通孔接触面的金属扩散至介质层中，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种金属连接结构，可以避免金属扩散，提高产品的可靠性。本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属连接结构，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属通孔；位于所述第一基底表面的第二基底，所述第二基底包括第二介质层和位于所述第二介质层内的第二金属通孔，所述第二金属通孔表面与所述第一金属通孔表面键合连接；所述第二金属通孔侧壁和第二介质层之间具有第二阻挡层，所述第二阻挡层为非金属材料。

【技术特征摘要】
1.一种金属连接结构，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属通孔；位于所述第一基底表面的第二基底，所述第二基底包括第二介质层和位于所述第二介质层内的第二金属通孔，所述第二金属通孔表面与所述第一金属通孔表面键合连接；所述第二金属通孔侧壁和第二介质层之间具有第二阻挡层，所述第二阻挡层为非金属材料。2.根据权利要求1所述的金属连接结构，其特征在于，所述第一介质层包括层间介质层和位于所述层间介质层表面的第一阻挡层；所述第二阻挡层表面与所述第一阻挡层表面键合。3.根据权利要求1所述的金属连接结构，其特征在于，所述第二金属通孔的材料在所述第二阻挡层内的扩散速率小于在所述第二介质层内的扩散速率。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42