一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，对GaAs衬底进行分阶段腐蚀，在第一阶段将待腐蚀芯片置于NH4OH溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为35‑40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底，对GaAs衬底进行减薄；在第二阶段，将第一阶段腐蚀后的芯片进行清洗后置于柠檬酸溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为25‑35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底，直至将GaAs衬底5完全去除掉。本发明专利技术全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，解决了单一NH4OH：H2O2体系选择性低，表面粗糙的缺点，又克服了柠檬酸：H2O2体系腐蚀速度慢，对于较厚GaAs衬底难以实现大面积均匀腐蚀的缺点，具有快的腐蚀速度且腐蚀后芯片表面均匀光滑，在保证材料表面形貌的前提下缩短了腐蚀时间。

【技术实现步骤摘要】
一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法
本专利技术涉及超快诊断领域，具体涉及应用于全光固体超快诊断技术的探测芯片的腐蚀方法。
技术介绍
全光固体超快诊断技术采用超快固体材料响应待测信号(X射线、可见光、红外等)，该技术不受空间电荷与微通道板增益饱和效应制约，具有更高的时间和空间分辨能力，在医学、材料、自然科学研究等领域有很大的应用潜力。全光固体超快诊断技术的时间和空间分辨能力取决于超快探测芯片，因此超快探测芯片的制备至关重要。目前的芯片AlGaAs响应层外延在GaAs衬底上，且AlGaAs响应层厚度只有3-5μm，而GaAs衬底的厚度是350μm，大大影响了入射光的透过率，因此对于超快探测芯片，对AlGaAs/GaAs的选择性腐蚀直接决定芯片对入射光的响应。通过查阅文献，现有对AlGaAs/GaAs体系的去衬底溶液主要分为三个体系：NH4OH：H2O2体系、柠檬酸：H2O2体系和干法刻蚀体系。NH4OH：H2O2体系对AlGaAs/GaAs选择性较低，腐蚀速度较快，去衬底后芯片的表面粗糙，通常在室温下进行；柠檬酸：H2O2体系对AlGaAs/GaAs选择性较高，但腐蚀速度慢，对于较厚Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)第一阶段腐蚀：1.1)将NH4OH溶液和H2O2溶液进行混合，形成第一阶段腐蚀溶液(2)；1.2)将待腐蚀芯片置于第一阶段腐蚀溶液(2)中，在温度为35‑40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底(5)，对GaAs衬底(5)进行减薄；2)第二阶段腐蚀：2.1)将柠檬酸溶液和H2O2溶液进行混合，形成第二阶段腐蚀溶液；2.2)将步骤1.2)腐蚀后的芯片进行清洗后置于第二阶段腐蚀溶液中，在温度为25‑35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底(5)，直至将GaAs衬底(5)完全去除掉。

【技术特征摘要】
1.一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)第一阶段腐蚀：1.1)将NH4OH溶液和H2O2溶液进行混合，形成第一阶段腐蚀溶液(2)；1.2)将待腐蚀芯片置于第一阶段腐蚀溶液(2)中，在温度为35-40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底(5)，对GaAs衬底(5)进行减薄；2)第二阶段腐蚀：2.1)将柠檬酸溶液和H2O2溶液进行混合，形成第二阶段腐蚀溶液；2.2)将步骤1.2)腐蚀后的芯片进行清洗后置于第二阶段腐蚀溶液中，在温度为25-35℃的条件下，继续腐蚀GaAs衬底(5)，直至将GaAs衬底(5)完全去除掉。2.根据权利要求1所述的全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征在于：步骤1.1)中的NH4OH溶液的浓度为25％wt，H2O2溶液的浓度为30％wt，NH4OH溶液与H2O2溶液的体积比为1:4。3.根据权利要求2所述的全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征在于：步骤2.1)中的柠檬酸溶液为质量比1：1的分析纯柠檬酸与去离子水的配比溶液，H2O2溶液的浓度为30％wt，柠檬酸溶液和H2O2溶液的体积比为4：1。4.根据权利要求3所述的全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫欣，何凯，高贵龙，钟梓源，李少辉，汪韬，田进寿，尹飞，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61