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本发明涉及一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法，对GaAs衬底进行分阶段腐蚀，在第一阶段将待腐蚀芯片置于NH4OH溶液和H2O2溶液的混合溶液中，在温度为35‑40℃的条件下，腐蚀GaAs衬底，对GaAs衬底进行减薄；在第二阶段，将第一阶段腐...
该专利属于中国科学院西安光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院西安光学精密机械研究所授权不得商用。

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